| 发明名称 | 非晶态硅碳氢钝化工艺 | ||
| 摘要 | 用辉光放电的方法，制备出非晶态硅碳氢膜，并应用于半导体器件表面钝化。这种钝化工艺实用简单，能够有效地克服了用SiO<SUB>2</SUB>、Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>等常规钝化方法给半导体器件带来的缺点，也克服了用a-Si:H作钝化膜而存在的问题。本工艺可以保持和改善钝化过程中器件的电学性能，并提高半导体器件稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1035022A | 申请公布日期 | 1989.08.23 |
| 申请号 | CN87102860.3 | 申请日期 | 1987.04.15 |
| 申请人 | 兰州大学 | 发明人 | 张仿清;张亚非;陈光华 |
| 分类号 | H01L21/322;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/322 |
| 代理机构 | 兰州大学专利事务所 | 代理人 | 吴大明 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件表面钝化工艺。其特征在于，本发明是用辉光放电制备的非晶态硅碳氢膜淀积于半导体器件表面，使半导体器件表面钝化。 | ||
| 地址 | 甘肃省兰州市天水路78号 | ||