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l﹒一种互补金氧半导体输入电路包括一翰入 互补金氧半导体反相器,其中之PMOS开关 电晶体之导通道系与NMOS负荷电晶体装 置于一输出节点与一第一电源接头之间连 接成串联,此种电路之特点为该NMOS负荷 电晶体置,于PMOS开关电晶体导电时,实 质上界定负荷电流。 2﹒根据申请专利范围第1项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中输入反相器之NMOS 电晶体系经由一另外NMOS电晶体连接至一 第二电源接头,此另一电晶体之闸极系连 接至输入反相器之输入,输入反相器NMOS 电晶体与另一NMOS电晶体之节点系经由一 反馈电晶体装置连接至第一电源接头,因 而,使反馈电晶体装置被输入反相器之输 出信号所控制。 3.根据申请专利范围第2项所述之互补金氧 半导体输人电路,其中输入反相器之输出 系连接至一第一反相器电路之输入,而第 一反相器电路之输出系连接至一第二反相 器之一输入,此第二反相器电路之输出系 连接至反馈电晶体装置之一控制输入。 4﹒根据申请专利范围第3项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中该等反相器电路系 互补金氧半导体反相器。 5.根据申请专利范围第2项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中反馈电晶体装置系 由两个串联NMOS电晶体作成,其闸极互连 。 6.根据申请专利范围第4项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中第一反相器之PMOS 电晶体系经由一NMOS电晶体装置连接至第 一电源接头,此NMOS电晶体装置被连接为 一个二极体,以及经由一PMOS电晶体装置 将其闸极连接至第二反相器之输出。 7.根据申请专利范圃第4或6项所述之互补 金氧半导体输入电路,其中第一反相器之 PMOS电晶体之宽长比实质上与输入反相 器之PMOS电晶体相同。 8﹒根据申请专利范围第2项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中反馈电晶体装置包 括两个串联NMOS电晶体,而此两电晶体之 闸极快互连。 9.根据申请专利范围第1项所述之互补金氧 半导体输入电路,其中NMOS负荷电晶体装 置之宽长比至多为PMOS开关电晶体之宽长 此之五分之一。 10﹒根据申请专利范圃第1项所述之互补金 氧半导体输入电路,其中NMOS负荷电晶体 装置为一NMOS电晶体,此电晶体系连接成 一个二极体。图示简单说明 图1示依据本发门之一种主要互补金氧 半导体翰入电路。 图2示依据本发明之互补金氧半导体输 入电路之一较佳具体实例。 图3示图2互补金氧半导体输入电路之 电压时间图解。 |
