| 主权项 |
1.一些具有以下通式之化合物: 其中R为氢;卤素;C1-C2烷基;C 1- C2烷氧基;硝基;氰基;C1 一C 2卤烷基;或Ra SOn 一其中n为O或 2而Ra菊C1 一C2 烷基,三氟甲基或 二氟甲基;或三氟甲氧基或二氟甲氧基; R1为氢或甲基; R2为氢或甲基: R3为甲基; R4为甲基; R5 R6个别为(1)氢;(2)卤素; (3)C1 一C4 烷氧基;(4)三氟甲氧基 ;(5)氰基;(6)硝基;(7)C1一 C4 卤烷基;(3)Rb SOn 一其中n为整数 0.1或2;而Rb 为(a)C1一 C4烷 基;(b)用卤素取代之C1 一C4烷基;( C)一NRc Rd ,其中Rc 及Rd 个别 为氢或C1C4烷基;或(9)Re C(O) 一,其中Re 为C1一C4烷基,以及其 盐类。2.如申请专利范围第1项之化合物,其中R 为氯、氢、溴、甲基、甲氧基、硝基、三 氯甲基或甲基磺醯;R1,R2,R3及R 4为甲基;R5 及R6个别为(1)氢;( 2)卤素;(3)C1 一C4 烷氧基;(4) 三氟甲氧基;(5)氟基;(6)硝基;(7) C1 一C4 卤烷基;(8)Rb SOn一 ,其中n为整数0.1或2;而Rb 为( a)C1 一C4 烷基;(b)用卤素取代之C 1一C4 烷基取代物;(c)一NRc Rd ,其中Rc 及Rd 个别为氢或C1 一C4 烷基;或(9)Re C(O)一,其中Re为 C1 一C4烷基。 3﹒如申请专利范围第2项之化合物,其中R 5及R6个别为、氢、氯、溴、C1 一C 4烷氧基、三氟甲氧基、氰基、硝基、三 氟甲基;Rb SOn其中 n为整数0或 2,而Rb 为甲基、氟甲基、三氟甲基; 乙基或正丙基,Re C(O)一某Re 为C 1 一C4烷基;或者SO2NRe Rd , 其中Re 及Rd 定义如上,而R5 为一位 置,R6为4一位置。 4.如申请专利范围第2项之化合物,其中R 5为氢,R6 为氢、氯、溴、氟、氰基、 三氟甲基或Rb SO2,其中Rb 为C1 一C4烷基或C1 一C4卤烷基。 5.如申请专利范围第2或3项之化合物,其 中R5为氢。 6.抑制不良植物生长之方法,其中包括在需 要抑制之部位上施加在除莠上为有效二数 量而如专利请求1.2.3.4或5项所 述之化合物。 7﹒一种除莠组合物,其中包含一种具有除莠 活性之2一苯甲醯一取代一1.3.5一 环己烷三酮或其盐,以及其一种惰性载体 。 8.如申请专利范围第7项之除莠组合物,其 中2一苯甲醯取代一1.3.5一环己烷 三酮是一种如专利请求1.2.3.4或 5项所述之化合物。 9﹒抑制不良植物生长之方法,其中包括在需 要抑制之部位上施加一种除莠组合物,包 括一种具有除莠活性之2一苯甲醯一取代 一1.3.5一环己烷三粡或其盐以及其 一种惰性载体。 10﹒一种制备具有以下结构式之除莠化合物 的方法: 其中R为氢;卤素;C1 一C2烷基;C1 一C2 烷氧基;硝基;氰基;C1 一C2 卤烷基;或者RaSOn其中n为O或 2,而Ra为Cl一C2 烷基,三氟甲基 或二氟甲基;或三氟甲氧基或二氟甲氧基 ; R1为甲基; R2为氢或甲基; R3为甲基; R4为甲基; R5及R6个别为(1)氢;(2)卤素 ;(3)C1 一C4烷氧基;(4)二氟甲氧 基;(5)氰基;(6)硝基;(7)C1一 C4 卤烷基;(8)RbSOn一其中n 为整数0.1或2;以及Rb 为(a)C1 一C4烷基;(b)用卤素取代之C1 一C 4烷基;(c)一NRc Rd 其中Rc 及R d个别为氢或C1 一C4烷基;或(9)R eC(O)一,其中Re 为C1 一C4烷基 以及其盐; 其步骤包括(1)使1克分子数量具有 下列结构式之三酮: 其R1一R4 定义如上 ,与一克分子数量具有以下结构式取代苯 甲醯反应剂起反应: 其中R,R5及R6 定义如上,而X为卤 素,C1 一C4 烷基一C(O)一O一,C 1一C4 烷氧基一C(O)一O一或者 其中R,R5 及R6在分子该部份上与以 上所示而同一克分子数量或更多之中度硷 在一起之反应剂相同,以及(2)使一克分 子数量之生成物与1到4克分子的中度硷 以及0.01克分子到0.5克分子或更多之氰 化物源起反应而形成所需要之除莠化合物 。 11﹒如申请专利范围第l0项之方法,其中X 为卤素,中度硷为三一C1 一C6 烷基胺 、 啶、硷金属碳酸盐或硷金属磷酸盐以 及氰化物源硷金属氰化物,甲基C1 一C 4烷基酮之偕醇睛、苯甲醛C2一C5 脂肪族醛之偕醇睛;偕醇睛;氰化锌三( 低级烷基)甲矽烷基氰化物或氰化氢。 l2﹒如申请专利范围第11项之方法,其中X 为氯,中度硷为三C1 一C6 烷基胺、 啶、碳酸钠或磷酸钠,而氰化物源为氰化 钾,丙酮他日醇睛或氰化氢。 |
