发明名称 纯化废气之触媒
摘要
申请公布号 TW117115 申请公布日期 1989.08.21
申请号 TW077107658 申请日期 1988.11.04
申请人 触媒化学工业股份有限公司 发明人 池田康生;齐藤皓一;堀内真
分类号 B01D53/34;B01J 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 l.一种可供纯化含碳细粒之废气纯化触媒, 其中包括有一种耐火三维度结构体及与其 上方沉积有(a)耐火无机氧化物,(b)钯及 (c)选自镨,钕及钐中至少一种元素之氧 化物作触媒组分。 z﹒如申请专利范围第1项所述之触媒,其中 又沉积有铈氧化物及(或)I氧化物。 3.如申请专利范围第1项所述之触媒,其中 之耐火无机氧化物为选自活性氧化铝,氧 化矽,氧化钛,氧化锆,氧化矽一氧化铝 ,氧化铝一氧化锆,氧化铝一氧化钛,氧 化矽一氧化钛,氧化矽一氧化锆,氧化钛 一氧化锆及沸石中之至少一种化合物。 4﹒如申请专利范围第3项所述之触媒,其中 之耐火无机氧化物为氧化锆。 5. 如申请专利范围第l项所述之触媒,其中 之耐火三维度结构体为陶瓷发泡体,开放 流式陶瓷蜂窝结构体,壁流式蜂窝单晶结 构体,开放流式金属蜂窝结构体,金属发 泡体或金属筛网。 6. 如申请专利范围第1项所述之触媒,其中 之耐火三维度结构体为开放流陶瓷蜂窝结 构体或开放流式金属蜂窝结构体。 7﹒如申请专利范围第1项所述之触媒,其中 之耐火无机氧化物及钯分别系以3至300 g及0.1至20g/1耐火三维度结构体之 数量而沉积者。 8. 如申请专利范围第1项所述之触媒,其中 镨,钕及(或)钐之氧化物系以总量为1至 50g/1耐火三维度结构体之数量而沉积 者。
地址 日本