| 摘要 |
<p>Die Konzentration der Innenstörstellen in einer Halbleiterscheibe wird in einem zweistufigen Wärmeverfahren gesteuert. In einer Konzentrationsreduktionsphase wird die Scheibe schnell auf eine erhöhte Temperatur im Bereich von ungefähr 900 bis 1350° C erwärmt, was zu einer teilweisen oder gesamten Auflösung von ausscheidbaren Verunreinigungen in der Scheibe führt. In einer Konzentrationssteigerungsstufe werden die Scheiben einem Temperverfahren bei relativ niedriger Temperatur, bei dem die Dichte der potentiellen Innenstörstellen erhöht wird, unterworfen. Durch entsprechendes Steuern der Verfahrenstemperaturen und Behandlungszeiten können die zwei Stufen in jeder Reihenfolge durchgeführt werden, um Scheiben zu erhalten, die Innenstörstellenkonzentrationen innerhalb eines gewünschten Bereichs aufweisen.</p> |
