在半导体片表面具有金属导线迹的半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，该器件的半导体片具有由半导体区和其周围的氧化区所构成的表面，在表面上制备金属层，以这层金属层形成导线迹，然后，把氧化硅绝缘层淀积在表面上的导线迹上。根据本发明，在把氧化硅层制备在导线迹上之前，这种导线迹上制备有防氧化材料的顶层。由于制备了顶层，避免了氧化硅复盖的导线迹产生高电阻甚至电学断路的可能。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，这种半导体器件的半导体片具有由半导体区与其周围的氧化区构成的表面，在此表面上制备一层金属层，以这层金属层形成导线迹，然后在该表面的半导体部分上淀积一层氧化硅绝缘层，该半导体器件的制造方法其特征在于：在导线迹上制备氧化硅层之前，先在导线迹上制备一个防氧化材料的顶层。