发明名称 |
METHOD FOR ETCHING WAFER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH01201490(A) |
申请公布日期 |
1989.08.14 |
申请号 |
JP19880025194 |
申请日期 |
1988.02.05 |
申请人 |
MITSUBISHI METAL CORP;JAPAN SILICON CO LTD |
发明人 |
HASEGAWA HIDEO;WATANABE MINEO |
分类号 |
C23F1/00;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/308 |
主分类号 |
C23F1/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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