发明名称 MANUFACTURE OF MOS FIELD EFFECT TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPH01201961(A) 申请公布日期 1989.08.14
申请号 JP19880026146 申请日期 1988.02.05
申请人 MATSUSHITA ELECTRON CORP 发明人 IMAHASHI MANABU;OSAKABE AKIHIKO
分类号 H01L21/316;H01L21/324;H01L29/78 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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