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经营范围
发明名称
INP INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号
JPH01191470(A)
申请公布日期
1989.08.01
申请号
JP19880014512
申请日期
1988.01.27
申请人
TOSHIBA CORP
发明人
TOKUDA HIROKUNI
分类号
H01L29/78
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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