| 发明名称 |
CELLA DI MEMORIA EEPROM, CON PROTEZIONE MIGLIORATA DA ERRORI DOVUTI A ROTTURA DELLA CELLA. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8921402(D0) |
申请公布日期 |
1989.08.01 |
| 申请号 |
IT19890021402 |
申请日期 |
1989.08.01 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
CARLO RIVA |
| 分类号 |
G11C29/00;G11C29/04;H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
G11C29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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