TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION

摘要

Un transistor à effet de champ à hétérojonction comprend une couche de source de porteurs 1 consistant en un matériau qui n'est pas susceptible de produire des niveaux profonds, même par dopage. Une couche de canal 4 consiste en un matériau ayant une mobilité élevée des porteurs. Une couche d'écartement 3 est intercalée entre la couche de canal et la couche de source de porteurs, et elle consiste en un matériau qui permet de réduire l'interaction coulombienne entre les porteurs dans la couche de canal et les ions dans la couche de source de porteurs. La couche d'écartement augmente également la discontinuité effective de l'énergie de la bande de conduction entre la couche de source de porteurs et la couche de canal.