发明名称 | 一种薄膜电致发光器件及其制造法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种薄膜电致发光器件及其制造法。本发明所述的发光器件以MgF<SUB>2</SUB>作激活物层和边缘保护层,其中激活物层厚为100—500,保护层厚度为300—500,并且本发明采用了新的金属—绝缘层—金属构型,以Al膜为负极,Au膜为正极。本发明所述的发光器件用真空电阻加热淀积法制造。该发光器件具有寿命长,能量转换率高,所发射的光可复盖整个光谱段,制备工艺简单等优点,可广泛用于各种平板显示。 | ||
申请公布号 | CN1034295A | 申请公布日期 | 1989.07.26 |
申请号 | CN88101492.3 | 申请日期 | 1988.03.18 |
申请人 | 重庆大学 | 发明人 | 舒启清;温维佳 |
分类号 | H05B33/14;H05B33/10 | 主分类号 | H05B33/14 |
代理机构 | 重庆大学专利事务所 | 代理人 | 李解 |
主权项 | 1、一种由正电极层,激活物层和边缘保护层,负电极层构成薄膜电致发光器件,其特征在于它用MgF2作激活物层3和边缘保护层4。 | ||
地址 | 四川省重庆市沙坪坝区 |