| 发明名称 |
Method of manufacturing VLSI logic circuits in polysilicium gate NMOS fashion with an integrated EEPROM memory for tunnel current programming. |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von VLSI-Logikschaltungen in Poly-Silizium-Gate NMOS-Technik zusammen mit integrierten EEPROM-Speichern für Tunnelstromprogrammierung, wobei die notwendige Feldimplantation in zwei Teilschritte aufgeteilt ist und nach der Erzeugung einer NitridOxid-Sandwich-Isolation (7, 8) eine Oxidation in feuchter Atmosphäre bei 850°C ausgeführt wird, bei welcher an den Flanken der Nitridschicht Spacer (10) aufoxidiert werden.
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| 申请公布号 |
EP0325202(A1) |
申请公布日期 |
1989.07.26 |
| 申请号 |
EP19890100724 |
申请日期 |
1989.01.17 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
HOPF, ERWIN, DIPL.-ING.;KLINGENSTEIN, WERNER, DR., DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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