IMPROVED ION-IMPLANTED GaAs DEVICES.

摘要

Cette invention concerne un moyen permettant d'améliorer l'uniformité de la tension de seuil de MESFETs à l'arsémiure de gallium implantés ioniquement, par la co-implantation de deux espèces dopantes contrairement à la normale où l'on utilise qu'une seule espèce de dopant. On choisit les deux espèces de dopants de manière que les effets de l'activation des changements stoïchiométriques dans le substrat se produisent dans des sens opposés, ce qui réduit ou élimine ainsi les effets stoïchiométriques sur l'activation totale (et ainsi sur la tension de seuil des dispositifs).