晶体管

摘要

本发明提供一种具有在网状发射极区(22)进行接触的第1发射极电极(26)及在岛状基极接触区(23)进行接触的第1基极(25)和设置在层间绝缘膜(27)上面分别与上述的第1发射极电极(26)和第1基极(25)联结的第2发射极电极(29)和第2基极电极(28)，上述第2发射极电极(29)及上述第2基极电极(28)形成梳齿状，使上述第2发射极电极(29)和上述第1发射极电极(26)在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中、小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容器的晶体管。

主权项

1.一晶体管，其特征是：具有集电极区、基极区及发射区，该发射极区以网状状态设于上述基极区表面，把上述基极区的接触区以许多的岛状配置在上述发射极区内，在上述发射区及上述基极区的接触区里设置进行电阻接触的由第1层组成的第1发射电极和第1基极电极，在被该第1发射极电极及第1基极电极的层间绝缘膜上面具有联结上述第1基极电极的梳齿状的第2基极电极和与上述第1发射极电极进行电阻接触并伸延至焊接点的第2发射极电极的晶体管里，配置有设在上述第2基极电极的梳齿间，与上述第1发射极电极进行带状接触的第2发射极电极。