发明名称 INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号 JPH01179363(A) 申请公布日期 1989.07.17
申请号 JP19870334994 申请日期 1987.12.31
申请人 NEC CORP 发明人 MATSUDA YUKIHIKO
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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