PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT DES ELEMENTS A DEUX NIVEAUX DE GRILLE

摘要

La présente invention concerne un procédé de fabrication de circuits intégrés comprenant des transistors MOS à grille isolée et des dispositifs mémoire à deux niveaux de grille, comprenant les étapes suivantes : former sur les zones où seront formés les dispositifs mémoire une première couche isolante 2 et un premier niveau de grille 4; former sur les zones des transistors et les zones de mémoire une deuxième couche isolante 5, un deuxième niveau de grille 6 et une première couche de produit photosensible 7; graver la première couche du produit photosensible et le deuxième niveau de grille selon des configurations choisies; revêtir les zones de transistors d'une deuxième couche de produit photosensible 20. Ce procédé comprend en outre les étapes suivantes : graver sélectivement la deuxième couche de produit photosensible au centre des emplacements où doivent être formés les drains et les sources des transistors; attaquer les zones d'oxyde apparentes puis les zones de grille et de substrat apparentes; éliminer la deuxième couche de produit photosensible; et procéder à une implantation ionique de drains et de sources.