| 摘要 |
<p>Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction, notamment en arséniure de gallium, comprenant la formation de couches épitaxiales superposées pour réaliser une couche collecteur (1) de type n<+>, une couche émetteur (3) de type n, la formation d'implantations localisées de type p<+> pour réaliser la région de base (31, 30), ou de type n<+> pour réaliser des caissons de contact collecteur (20). Ce procédé incluant aussi la réalisation de contacts (70) de base B de dimension B0 et distants de E1, puis couvrant les métallisations (70), de plots (81) en silice (SiO2) à flancs perpendiculaires au plan des couches contre lesquels s'appuient des espaceurs en nitrure de silicium (SiO2) (52) de dimensions h1 délimitant avec une grande précision la dimension E0 = B1 - 2h, du contact d'émetteur E et les distances entre les différents contacts de collecteurs C (90), bases B (70) et émetteur E (90).</p> |
