发明名称 一种高发光效率的磷化镓外延材料
摘要 提供一种高发光效率的磷化镓外延材料,含有N<SUB>1</SUB>—N<SUB>2</SUB>—N<SUP>-</SUP>—P<SUP>-</SUP>—P五个磷化镓层,外延层N<SUP>-</SUP>和外延层P<SUP>-</SUP>晶体均具有良好的完整性,P区得到充分利用,在相同的工作条件下,该材料的发光效率提高一倍。
申请公布号 CN1033714A 申请公布日期 1989.07.05
申请号 CN88107405.5 申请日期 1988.10.25
申请人 浙江大学 发明人 华伟民;丁祖昌
分类号 H01L33/00;H01J29/02;C30B19/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 浙江大学专利代理事务所 代理人 连寿金
主权项 1、一种高发光效率的磷化镓外延材料,包括n型磷化镓基片,n型磷化镓外延层,p型磷化镓外延层以及pn结,其特征在于: -该磷化镓外延材料含有N1-N2-N--P--P五层结构,其中N1是n型基片,N2是在基片N1上生长的n型外延层,N-是在外延层N2上生长的n型外延层,P-是在外延层N-上生长的p型外延层,P是在外延层P-上生长的p型外延层; -外延层N-、P-皆为低浓度外延层; -外延层P-和外延层N-间的界面构成P-N-结。
地址 浙江省杭州市玉泉