发明名称 |
一种高发光效率的磷化镓外延材料 |
摘要 |
提供一种高发光效率的磷化镓外延材料,含有N<SUB>1</SUB>—N<SUB>2</SUB>—N<SUP>-</SUP>—P<SUP>-</SUP>—P五个磷化镓层,外延层N<SUP>-</SUP>和外延层P<SUP>-</SUP>晶体均具有良好的完整性,P区得到充分利用,在相同的工作条件下,该材料的发光效率提高一倍。 |
申请公布号 |
CN1033714A |
申请公布日期 |
1989.07.05 |
申请号 |
CN88107405.5 |
申请日期 |
1988.10.25 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
华伟民;丁祖昌 |
分类号 |
H01L33/00;H01J29/02;C30B19/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
浙江大学专利代理事务所 |
代理人 |
连寿金 |
主权项 |
1、一种高发光效率的磷化镓外延材料,包括n型磷化镓基片,n型磷化镓外延层,p型磷化镓外延层以及pn结,其特征在于: -该磷化镓外延材料含有N1-N2-N--P--P五层结构,其中N1是n型基片,N2是在基片N1上生长的n型外延层,N-是在外延层N2上生长的n型外延层,P-是在外延层N-上生长的p型外延层,P是在外延层P-上生长的p型外延层; -外延层N-、P-皆为低浓度外延层; -外延层P-和外延层N-间的界面构成P-N-结。 |
地址 |
浙江省杭州市玉泉 |