发明名称 Power-on reset circuit for a MOS integrated circuit.
摘要 <p>La présente invention concerne un circuit de remise sous tension pour assurer le démarrage d'un circuit intégré en technologie MOS. Il comporte une borne d'alimentation (A), une masse (M) et une sortie (S), une capacité (C1) connectée entre la masse (M) et le noeud (1), capacité dont la charge est commandée par l'intermédiaire d'un transistor (T1) de type p connecté entre (A) et le noeud (1), une porte inverseuse (I1,T7) à tension de seuil modifiable dont l'entrée est connectée au noeud (1), un inverseur (I2) connectée entre la sortie de la porte inverseuse (I1,T7) et la sortie (S), une source de courant (T8) reliée en série à un circuit diviseur (D1,D2) commandant le premier transistor (T1) de type p, et un circuit (C) présentant une fonction de transfert VS = f (VE) de type inverseur, ledit circuit (C) étant connecté entre la sortie (4) de la porte inverseuse et la source de courant (T8) de manière à commander le fonctionnement de la source de courant.</p>
申请公布号 EP0323367(A1) 申请公布日期 1989.07.05
申请号 EP19880403379 申请日期 1988.12.30
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A. 发明人 DUBUJET, BRUNO
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H03K3/3565;H03K17/22;H03K17/687;H03K19/00;H03K19/003 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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