低压电可编程序只读存储器

摘要

描述了一种改进了的EEPROM元件，它更适宜于制造高密度器件。单个元件包括一个浮置栅，它是通过沟道注入充入电荷而通过隧道卸去电荷的，漏区是精确定位的，且此源区薄一些。在n-沟道装置中，n型杂质和P型杂质都用来形成源区和漏区，然后对源区进行第三次掺入杂质。

主权项

1.一在硅基底上形成的电可编程序和电可清除只读存储器器件，包括在上述基底上形成源区和漏区，在上述源区和漏区之间确定沟道区；—浮置栅完全由绝缘体包围，并安置在上述沟道区之上，所述浮置栅由一基本同样厚的绝缘区使其与所述沟道相隔离；—控制栅与上述浮置栅绝缘，且安置在上述浮置栅之上；在所述源区与所述硅基底间形成的结具有较在所述漏区与所述硅基底间形成的结具有更平缓的掺杂浓度梯度；所述源区在所述浮置栅下面延伸，并与所述浮置栅由所述绝缘区相互绝缘，从而在所述浮置楣与所述源区间形成一增大电容的区域，所述增大电容较在所述浮置栅与所述漏区间的电容要大；所述浮置栅由来自沟道区的热电子沟道注入充电，并通过将所述浮置栅的电子由电子隧道效应通过在所述增大电容的区域处的绝缘区从所述浮置楣移入所述硅基底，使所述浮置栅放电；从而得到高密度的器件。