诺酮衍生物及其殟,含彼之抗心节律不齐性药用组合物,以及彼之制造方法

主权项

1.同下列通式所示之诺酮衍生物或其盐( 1a)通式(1)所代表之诺酮衍生物 或其盐 其中R1为氢原子C1─C16烷基团, 低级烯基团,低级炔基团,苯基一低级烷 基团;可于啶环上以低级烷基团或苯基 一低级烷基团作为取代基之啶基团,或 可以具有或不具1至2个底级烷基取代基 团之胺基团作为取代基之奎宁环基团: R2为叠氮基团,醯亚胺基团,咯烷 基团,啶基R4团或式─N<基团R5 (其中R4及R5可相同或互异,其各为 氢原子,可以羟基团,胺基团或低级烷胺 基团作为取代基之低级烷基团,苯基一低 级烷醯基团,咪唑基团,可以卤素原子 或低级烷胺基团作为取代基之烷醯基团, 可以低级烷氧基团作为取代基之苯基一低 级烷基团,苯基团,环烷基团,可于啶 环上以苯基一低级烷基团作为取代基之 啶基一低级烷醯基团,低级烯基团,咯 烷基一低级烷醯基团,可于苯环上以级烷 基团作为取代基之苯氧基一低级烷基团, 可于吗环上以苯基一低级烷基团,作为 取代基之吗基一低级烷基团,可于啶 环上以苯基一低级烷基团作为取代基之 啶基团;此外,R4及R5可与键结之邻 近氮原子,及与或不与其它氮原子,硫原 子或氧原子共同形成5─至9─节杂环基 团;上述5─至9─节杂环基团可具有1 至3个由下列基团中所择定之取代基:苯 基团,羟基团,可于苯基环上以低级烷氧 基团作为取代基之苯基一低级烷基团,可 以1至3个羟基团,低级烷氧基团或卤素 原子作为取代基之C1─C10烷基团, 低级烯基团,低级烷氧羰基一低级烷基团 ,四氢喃基一低级烷基团,嗯基一低 级烷基团,环烷基一低级烷基团,环烷基 团,可于苯基环上以卤素原子作为取代基 之苯醯基一低级烷基团,啶基一低烷基 团,低级烷胺基团,低级炔基团,低级烷 醯基一低级烷基团,苯基一低级烷氧羰基 团,式R13─(A)m─N<基团R1 4(其中R13及R14可相同或互异, 其各为氢原子,低级烷基团,可于苯基环 上以低级烷氧基团作为取代基之苯基一低 级烷基团:此外,R13及R14可与键 结之邻近氮原子,及与或不与其它氮原子 或氧原子共同形成5─或6─杂环基团; 上述5─或6─节杂环基团可具有低级烷 基团以作为取代基:A为低级烷撑基团或 式─A'─C─基团,其中之A'为低级烷 撑基团;m为0或1)),及可于苯基环 上以低级烷氧基团作为取代基之苯醯基团 ;或为可于啶环上以低级烷基团或苯基 一低级烷基团作为取代基之啶基团,可 以具有或不具1至2个低级烷基取代基团 之胺基团作为取代基之奎宁环基团; R3为可具有1至3个作为取代基之卤素 原子之低级烷基团,低级烷氧基团,羟基 团,卤素原子,羧基团,苯基团,苯基一 低级烷氧基团,低级烯氧基团,低级烷醯 基一低级烷氧基团或低级烷胺羰基一底级 烷氧基团; n为0,1或2诺酮架构中之3─与4 ─位置间之碳─碳键为单或双键;R2及 R3乃各于诺酮架构中3─或8─位置 中之任一位置被取代,但R2及R3不可 同时在同一位置被取代,且R2及R3至 少有一者在诺酮架构中之第8位置被取 代; 此外,当n为0或1且R3为低级烷氧基 团时,则作为啶环上第4位置取代基之 R2不可为可于苯基环上以具低级烷氧基 团之苯基一低级烷基团作为取代基之1─ 基团,低级烷基团,低级烯基团,低 级烷氧羰基一低级烷基团,低级炔基团或 可于苯基环上以低级烷氧基团作为取代基 之苯醯基团。 (1b)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中诺酮衍生物系以下式代 表 其中R1^1,R^3及诺酮架构中5与 4─位置间之碳─碳键均如前所述;P为 1或2之整数;R2A为式R4a─N< R5a基团,其中R4a及R5a可与键 结之氮原子,及与或不与其它氮原子,硫 原子或氧原子共同形成5─至9─节杂环 基团; 上述5─至9─节杂环基团可具有1至3 个由下列基团中所择定之取代基:苯基团 ,羟基团,可于苯基环上以低级烷氧基团 作为取代基之苯基一低级烷基团,可以1 至3个羟基团,低级烷氧基团或卤素原子 作为取代基之C1─C10烷基团,低级 烯基团,低级烷氧羰基一低级烷基团,四 氢喃基一低级烷基团,嗯基一低级烷 基团,环烷基一低级烷基团,环烷基团, 可于苯基环上以卤素原子作为取代基之苯 醯基一低级烷基团,啶基一低级烷基团 ,低级烷基醯胺基团,低级炔基团,低级 烷醯基一低级烷基团,苯基一低级烷氧羰 基团,式R13─(A)m─N<基团R 14((其中R13及R14可相同或互 异,其各为氢原子,低级烷基团,可于苯 基环上以低级烷氧基团作为取代基之苯基 一低级烷基团;此外,R13及R14可 与键结之邻近氮原子,及与或不与其它氮 原子或氧原子共同形成5─或6─节之杂 环基团;上述5─或6节杂环基团可于杂 环基团上具有低级烷基取代基团:A为低 级烷撑基团或式─A'─C─基团,其中 之A,为低级烷撑基团:m为0或1), 及可于苯基环上以低级烷氧基团作为取代 基之苯醯基团; 但(R3)p及R2a不可在诺酮之第 8位置键结(1c)根据申请专利范围( 1a)之诺酮衍生物或其盐,其中诺 酮衍生物系以下式代表 其中R1,R2a及诺酮架构中3─与 4─位置间之碳─碳键均如前所述; 但当R1为氢原子或低级炔基团且诺酮 架构中3─与4─位置间之碳─碳键为单 键时,则诺酮架构中第6位置不可被具 有1至2个由1─啶基团,羟基团,低 级烷基团及苯基团中所择定之取代基之 咯烷基团所取代:此外,当R1为氢原子 且诺酮架构中3─与4─位置间之碳一 碳键时,则诺酮架构中之3─及4─位 置不可被在环第4位置具有苯基一低 级烷基团,苯醯基一低级烷基团或可于苯 基环上以低级烷氧基团作为取代基之苯醯 基团以作为取代基之基团所键结:此 外,R2a必需不在诺酮架构之第8位 置键结; (1d)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中诺酮衍生物或其盐系以 下式代表 其中R3,n及诺酮架构中3─与4─ 位置间碳─碳键均如前所述;R1a为低 级烯基团,低级炔基团,苯基一低级烷基 团,羧基一低级烷基团,苯基一低级烷氧 羰基一低级烷基团,可以低级烷基团作为 取代基之胺基一低级烷基团,或为被5─ 或6─节杂环基团取代之羰基一低级烷基 团;R2b为式R4b─N<基团R4b (其中R4b及R5b可相同或互异,其 各为以羟基团,胺基团或低级烷胺基团作 为取代基之低级烷基团;苯基一低级烷醯 基团,咪唑基,可以卤素原子或低级烷 胺基团作为取代基之低级烷醯团,以低级 烷氧基团作为取代基之苯基一低级烷基团 ,环烷基,可于啶环上以苯基一低级烷 基团作为取代基之啶基一低级烷醯基团 ,低级烷醯基团,咯烷基一低级烷醯基 团,可于苯基环上以低级烷基团作为取代 基之苯氧基一低级烷基团,可于吗环上 以苯基一低级烷基团作为取代基之吗基 一低级烷基团); 但R2b及(R3)n不可于诺酮架构 中之第8位置键结(1e)根据申请专利 范围(1a)之诺酮衍生物或其盐,其 中,诺酮衍生物或其盐系以下式代表 其中R3,n及诺酮架构中3─与4─ 位置间之碳─碳键均如前所述;R2c为 式R4c─N<基团R5c(其中R4c 及R5c可相同或互异,其各为苯基一低 级烷醯基团,可以卤素原子或低级烷胺基 团作为取代基之低级烷醯基团,以低级烷 氧基团作为取代基之苯基一低级烷基团, 可于啶环上以苯基一低级烷基团作为取 代基之啶基一低级烷醯基团,咪唑基, 咯烷基一低级烷醯基团,可于吗环上 以苯基一低级烷基团作为取代基之吗基 一低级烷基团,或可于啶环上以苯基一 低级烷基团作为取代基之啶基团):R 1b为氢原子或C1─C16烷基团; 但R2c及R3,可于诺酮架构中之第 8位置键结(1f)根据申请专利范围( 1a)之诺酮衍生物或其盐,其中, 诺酮衍生物系以下式代表 其中R1,R3,n及诺酮架构中3─ 与4─位置间之碳─碳键均如前所;R2 d为叠氮基团,羰基叠氮基团,醯亚胺 基团,咯烷基团,啶基团,可于啶 环上以低级烷基团或苯基一低级烷基团作 为取代基之啶基团,或可以具有或不具 1至2个低级烷基取代基团之胺基团作为 取代基之奎宁环基团; 但R2d及R3不可于诺酮架构中之第 8位置键结;此外,当R1为氢原子,或 C1─C16烷基团;n为1; R26为键结在诺酮架构第8位置之 啶基团,R3为键结在诺酮架构第7位 置之羟基团,则诺酮架构中3─与4─ 位置间之碳─碳键必需为单键; (1g)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中,诺酮衍生物系以下代 表 其中,R1b及p均如前所述;R2e为 式R4e─N<基团R5e(其中R4e 及R5e可相同或互异,其各为氢原子, 可以羟基团,胺基团或低级烷胺基团作为 取代基之低级烷基团,低级烷醯基团,苯 基一低级烷基团,可于苯基环上以低级烷 基团作为取代基之苯氧基一低级烷基团, 苯基团,环烷基团或低级烯基团);R3 a为可以1至3个卤素原子作为取代基之 低级烷基团,低级烷氧基团,羟基团,低 级烯氧基团,低级烷醯基一低级烷氧基团 或低级烷胺羰基一低级烷氧基团; 但R2e及(R3e)p不可于诺酮架 构中之第8位置键结; (1h)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中,诺酮衍生物系以下式 代表 其中R1b,R3及p均如前所述,R2 为式R4f─N<基团R5f(其中R4 f为氢原子,可以羟基团,胺基团或低级 烷胺基团作为取代基之低级烷基团,苯基 一低级烷基团,苯基团,环烷基团,可于 苯基环上以低级烷基团作为取代基之苯氧 基一低级烷基团,低级烯基团);但R2 f及(R3)p不可在诺酮架构中之第 8位置键结; (1i)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中,诺酮衍生物系以下式 代表 其中R3,R1b,n均如前所述;R2 8为式R4g─N<基团R5g(其中R 4g"及R5g可相同或互异,其各为以 羟基团,胺基团或低级烷胺基团作为取代 基之低级烷基团,苯基一低级烷基团,可 于苯基环上以低级烷基团作为取代基之苯 氧基一低级烷基团,苯基团或环烷基团) ; 但(R3)n及R2g不可于诺酮架构 中之第8位置键结; (1j)根据申请专利范围(1a)之诺酮衍生 物或其盐,其中诺酮衍生物或其盐系以 下式代表 其中R1b及p均如前所述;R2h为式 R4h─N<基团R5h(其中R4h及 R5h可相同或互异,其各为氢原子,低 级烷基团,低级烯基团或低级烷醯基团) ; R3b为苯基一低级烷氧基团,低级烯氧 基团,低级烷醯基一低级烷氧基团或低级 烷胺羰基一低级烷氧基团; 但R2h及(R3b)p不可在诺酮架 构之第8位置键结。 2﹒根据申请专利范围第1项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R2为叠氮基团,羰基叠 氮基团,醯亚胺基团,咯烷基团或 啶基团。 3﹒根据申请专利范围第1项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R2为式R4─N<基团 R5(其中R4及R5均如同申请专利范 围第1项所述)。 4﹒根据申请专利范围第3项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R4及R5可相同或互异 ,其各为氢原子,可以羟基团胺基团或低 级烷胺基团作为取代基之低级烷基团,苯 基一低级烷醯基团,咪唑基团,可以卤 素原子或低级烷胺基团作为取代基之低级 烷醯基团,可以低级烷氧基团作为取代基 之苯基一低级烷基团,苯基团,环烷基团 ,可于啶环上以苯基一低级烷基团作为 取代基之啶基一低级烷醯基团,低级烯 基团,咯烷基一低级烷醯基团,可于苯 基环上以低级烷基团作为取代基之苯氧基 一低级烷基团,可于吗环上以苯基一低 级烷基团作为取代基之吗基一低级烷基 团或可于啶环上以苯基一低级烷基团作 为取代基之啶基团。 5﹒根据申请专利范围第3项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R4及R5可与键结之邻 近氮原子,及与或不与其它氮原子,硫原 子或氧原子共同形成5─至9─节杂环基 团;上述5─至9─节杂环基团可具有1 至3个由下列基团中所择定之取代基;苯 基团,羟基团,可于苯基环上以低级烷氧 基团作为取代基之苯基一低级烷基团,可 以1至3个羟基团,低级烷氧基团或卤素 原子作为取代基之C1─C10烷基团, 低级烯基团,低级烷氧羰基一低级烷基团 ,四氢喃基一低级烷基团,嗯基一低 级烷基团,环烷基一低级烷基团,环烷基 团,可于苯基环上以卤素原子作为取代基 之苯醯胺基团,低级炔基团,低级烷醯基 一低级烷基团,苯基一低级烷氧羰基团, 式R13─(A)m─N<基团R14( (其中R13及R14可相同或互异,其 各为氢原子,低级烷基团,可于苯基环上 以低级烷氧基团作为取代基之苯基一低级 烷基团;此外,R13及R14可与键结 之邻近氮原子,及与或不与其它氮原子或 氧原子共同形成5─或6─节杂环基团; 上述5─或6节杂环基团可于杂环上具有 低级烷基团以作为取代基;A为低级烷撑 基团或式─A'─C─基团,其中A'为低 级烷撑基团;m为0或1)),及可于苯 基环上以低级烷氧基团作为取代基之苯醯 基团。 6﹒根据申请专利范围第4项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R4及R5可相同或互异 ,其各为氢原子,可以羟基团,胺基团或 低级烷胺基团作为取代基之低级烷基团。 7﹒根据申请专利范围第4项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R4及R5可相同或互异 ,其各为苯是一低级烷醯基团,咪唑基 团,可以卤素原子或低级烷胺基团作为取 代基之低级烷醯基团,可以低级烷氧基团 作为取代基之苯基一低级烷基团,苯基团 ,环烷基团,可于啶环上以苯基一低级 烷基团作为取代基之啶基一低级烷醯基 团,低级烯基团,咯烷基一低级烷醯基 团,可于苯基环上以低级烷基团作为取代 基之苯氧基一低级烷基团,可于吗环上 以苯氧基一低级烷基团作为取代基之吗 基一低级烷基团,或可于啶环上以苯基 一低级烷基团作为取代基之啶基团。 8﹒根据申请专利范围第5项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R2为咪唑基团,基 团,啶基团,吗基团,咯烷基团, 1,4─二二环[4,3,0]壬基团 ,1,4─二庚因基团,1,4─恶 庚因基团,1,4─三庚因基基,高 基团,硫代吗基团,满基团或 基团;上述杂环基团可具有1至3个请 求专利部分第6项中供每一杂环基团所用 取代基团中所定之取代基。 9﹒根据申请专利范围第8项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R2为可具有1至3个由 苯基团,羟基团,可于苯基环上以苯基一 低级烷基团作为取代基之苯基一低级烷基 团,可以1至3个羟基团,低级烷氧基团 或卤素原子作为取代基之C1─C10烷 基团,低级烯基团,低级烷氧碳基一低级 烷基团,四氢喃基一低级烷基团,嗯 基一低级烷基团,环烷基一低级烷基团, 环烷基团,可于苯基环上以卤素原子作为 取代基之苯醯基一低级烷基团,啶基一 低级烷基团,低级烷基醯胺基团,低级炔 基团,低级烷醯基一低级烷基团及苯基一 低级烷氧羰基团中所择定之取代基之杂环 基团,其系为咪唑基团,基团,啶 基团,吗基团,咯烷基,1,4二 二环[4,3,0]壬基团,1,4─二 庚因基团,1,4─恶庚因基团,1 ,4─庚因基团高基团,硫代吗 基团,满基团或基团。 10﹒根据申请专利范围第8项之诺酮衍生物 或其盐,其中,R2系为可具有1至3个 由式R13─(A)m─NCH─CH2─(R 17O)基团(其中R16及R17各为 低级烷基团)或式HC=C─基团; 即得通式(1r)之化合物。 (b)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环, 其中R1,R2,R3,p及D均如前所 述; 即得下列通式之化合物 其中R1,R3,p及R2均如前所述; (c)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环 其中R1,R2a,及D均如前所述: 即得下列通式之化合物 其中R1及R2a均如前所述: (d)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下予以闭环 其中R1a,R2b,R3,n及D均如 前所述; 即得下列通式之化合物 其中R1a,R2b,R3n及D均如前 所述; (e)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环, 其中R1b,R2c,R3,n及D均如 前所述; 即得下列通式之化合物 其中R1b,R2c,R3及n均如前所 述; (f)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环, 其中R1,R2d,R3,n及D均如前 所述; 即得下列通式之化合物 其中R1,R2d,R3及n均如前所述 ; (g)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环, 其中R1b,R2g,R3,n及D均如 前所述; 即得下列通式之化合物 (h)将下列通式化合物于酸之存在下及于溶剂 之缺乏或存在下进行闭环, 其中R1b,R3b,p及R2h及D均 如前所述; 即得下列通式之化合物 其中R1b,R3b,p及R2h如前所 述。