发明名称 磷化镓发光二极管
摘要 一种能使发光效率提高一倍的磷化镓发光二极管,其特征是采用含有N<SUB>1</SUB>—N<SUB>2</SUB>—N<SUP>-</SUP>—P<SUP>-</SUP>—P五层结构的芯片材料,其中处延层N<SUP>-</SUP>和P<SUP>-</SUP>晶体均具有良好的结晶完整性,厚度只有几个微米。
申请公布号 CN2040277U 申请公布日期 1989.06.28
申请号 CN88215651.9 申请日期 1988.10.25
申请人 浙江大学 发明人 华伟民;丁祖昌
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 浙江大学专利代理事务所 代理人 连寿金
主权项 1、一种含磷化镓芯片、引线、管座、封装树脂构成的磷化镓发光二极管,其特征在于:制作芯片的外延材料是由N1-N2-N--P--P五个磷化镓层组成,其中N1是n型基片,N2是在基片N1上生长的n型外延层,N-是在外延层N2上生长的低浓度n型外延层,P-是在外延层N-上生长的低浓度p型外延层,p是在外延层P-上生长的p型外延层,外延层P-和外延层N-间界面构成P-N-结。
地址 浙江省杭州市玉泉