发明名称 | 磷化镓发光二极管 | ||
摘要 | 一种能使发光效率提高一倍的磷化镓发光二极管,其特征是采用含有N<SUB>1</SUB>—N<SUB>2</SUB>—N<SUP>-</SUP>—P<SUP>-</SUP>—P五层结构的芯片材料,其中处延层N<SUP>-</SUP>和P<SUP>-</SUP>晶体均具有良好的结晶完整性,厚度只有几个微米。 | ||
申请公布号 | CN2040277U | 申请公布日期 | 1989.06.28 |
申请号 | CN88215651.9 | 申请日期 | 1988.10.25 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 华伟民;丁祖昌 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
主权项 | 1、一种含磷化镓芯片、引线、管座、封装树脂构成的磷化镓发光二极管,其特征在于:制作芯片的外延材料是由N1-N2-N--P--P五个磷化镓层组成,其中N1是n型基片,N2是在基片N1上生长的n型外延层,N-是在外延层N2上生长的低浓度n型外延层,P-是在外延层N-上生长的低浓度p型外延层,p是在外延层P-上生长的p型外延层,外延层P-和外延层N-间界面构成P-N-结。 | ||
地址 | 浙江省杭州市玉泉 |