发明名称 | 硅低温掺氟氧化方法 | ||
摘要 | 本发明是半导体工艺中的一种掺氟、低温硅氧化方法,属于集成电路工艺中在半导体硅材料上生长二氧化硅绝缘层的技术。本发明采用液态含氟试剂为掺氟源,由携带气体携带,氧气稀释,利用常规热氧化炉实现掺氟、低温800℃或低于800℃硅氧化。此外,本发明还采用了抗氟腐蚀的全塑气体系统。因此,避免了系统腐蚀,又获得了优于或相当于高温氧化的优质硅氧化层,为大规模和超大规模集成电路的发展提供了一种简单、方便的低温氧化方法。 | ||
申请公布号 | CN1033545A | 申请公布日期 | 1989.06.28 |
申请号 | CN87101143.3 | 申请日期 | 1987.12.17 |
申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 龙伟;徐元森;郑养鉥 |
分类号 | H01L21/94;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/94 |
代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 沈德新 |
主权项 | 1、一种掺氟、低温硅氧化方法,包括集成电路常规化学清洗硅片工艺、普通三段式氧化炉、氧化炉中的石英管1、硅片3、加温电炉7、降温冷阱6、温度传感器9、控温仪8和由抗氟腐蚀塑料制成的源瓶4、质量流量计、阀门10、11、气体混合器12、管道13全塑气体系统,其特征在于: a.硅氧化温度为800℃或低于800℃, b.掺氟氧化的氟源是含氟溶液,源温维持在-196℃-60℃间的任何温度值, c.通过氟源的携带气体为氧、氮或氩、氖、氦惰性气体, d.稀释含氟气体的稀释气体为氧, e.含氟气体中含氟摩尔浓度最好小于0.4%,掺氟氧化气体含氟量为10ppm-4000ppm, f.硅片氧化后退火,时间最好为5分-3小时, g.产品为优于或相当于高温氧化的,能进行低温氮化,获得抗钠离子沾污的氧化层。 | ||
地址 | 上海市长宁区长宁路865号 |