| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif à transfert de charges à abaissement de potentiel de transfert en sortie, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif.</P><P>De manière connue, le dispositif comporte en amont sur un substrat semi-conducteur 1 dopé d'un premier type P, une couche semi-conductrice 2 dopée d'un deuxième type N et une couche isolante 3 recouvrant la couche 2. Des paires d'électrodes P1, P2 sont formées sur la couche isolante. Chaque paire comporte une électrode de transfert 4 et une électrode de stockage 5. Des zones dopées 15 de troisième type N**- sont réalisées dans la couche de deuxième type N. Selon l'invention, une couche dopée 16 de troisième type N**- est réalisée en aval, dans la couche 2 de deuxième type, et on forme en aval au moins une autre paire 17, 18 d'électrodes supplémentaires de transfert et de stockage. Une zone dopée 19 de quatrième type N**-**- est réalisée sous l'électrode supplémentaire de transfert 17, dans la couche 16 de troisième type N**-. Cette paire d'électrodes supplémentaires 17, 18 et la zone 19 dopée de quatrième type permettent d'obtenir l'abaissement de potentiel de transfert en sortie.</P><P>Application notamment aux mémoires, aux registres à décalage, aux caméras de télévision.</P>
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