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I﹒一种制备紧密超导陶磁氧化物物品之方法,其包括之步骤为(a)在热及压力下使超导陶磁氧化物加强密度以形成一种几乎为超导结构及组成之紧密化组合物物体,且(b)藉将该近乎超导结构及组成重组使其可与该陶磁氧化物之结构与组成相配合而至少将该组合物体之外表面转换为一种超导状态。2.根据申请专利范围第I项所述之方法,更指出将该陶磁氧化物增强密度至大于90%之理论密度。3.根据申请专利范围第2项所述之方法,更指出将该陶磁氧化物增强密度至大于95%之理论密度。4﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,更指出转换步骤包括让原子经由该组合物体之表面扩散。5﹒根据申请专利范围第4项所述之方法,其更指出让该等原子从该组合物内经由该组合物体之表面扩散至其外部。6﹒根据申请专利范围第4项所述之方法,其更指出让该等原子从该组合物体之外部经由该组合物体之表面扩散至其内部。7﹒根据申请专利范围第6项所述之方法,其更指出让该等原子藉离子布植经由该组合物体之表面而扩散。8.根据申请专利范围第4项所述之方法,更指出让该等原子藉从一种相邻之气相经由该组合物体之表面而扩散。9﹒根据申请专利范围第4项所述之方法,更指出让该等原子在热及压力下从一相邻之气相经由该组合物体之表面而扩散。10.根据申请专利范围第9项所述之方法,其更指出该气相为氧。11.根据申请专利范围第9项所述之方法,其更指出该气相为氟。12.根据申请专利范围第9项所述之方法,其更指出该气相为一种氧及氟之结合。13.根据申请专利范围第l项所述之方法,其更指出该陶磁氢化物是从含有下列物之辟中送出La,＿,MxCuO。其中M=Ba, Sr或CaR,Ba,Cu,Pf,其中(R=稀土族)且上述化合物其之部份以氟且可能是硫取代氧。14﹒根据申请专利范围第l项所述之方法,其更指出该陶磁氢化物为Yba Ou Ox其中x介于6.5及7.2间。15﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其更指出该物体之组成转换成与整个物体的超导状态相关之组成。16﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其更指出该陶磁氧化物以热均衡加压而增强密度。17﹒根据申请专利范围第16项所述之方法,其更指出该陶磁氧化物以热均衡加压增强密度为较所欲生产之最终产品之体积还大的组合物体,且在将该组合物体之非超导状态转换成一超导状态之前,将该组合物体切成相当于所欲主产之最终产品尺寸之晶片。18﹒根据申请专利范围第1项所述二方法,其更指出该组合物体之一后处理之额外步骤,其中该物体之部份的超导状态被破坏以便定出所欲几何形状之超导电流路径。19.根据申请专利范围第18项所述之方法,其更指出该超导状态是藉选择性地热处理该物体之部份而破坏。20﹒根据申请专利范围第10项所述二方法,其更指出该选泽性之热处理是藉雷射加热而进行。21﹒根据申请专利范围第19项所述之方法,其更指出该选择性之热处理是藉电子射束加热而进行。22.根据申请专利范围第19项所述之方法,其更指出该选择性之热处理是藉带电荷粒子来加热而进行。23.根据申请专利范围第17项所述之方法,其更指出该超导状态是以机械式移去之方法而破坏。24.根据申请专利范围第17项所述之方法,其更指出该超导状态是选择性化学移去法而破坏。25.根据申请专利范围第17项所述之方法,其更指出该超导状态是化学抑制怯而破坏26.根据申请专利范围第25项所述之方法,其更指出该化学抑制是藉离子布植而进行。27.根据申请专利范围第14项所述之方法,其更指出该陶磁氧化物是藉热均衡加压在高于750℃之温度下至少约2小时而增加密度,其后在氧化之存在下缓慢冷却至约400℃,按着快速冷却至室温,按着在氧之存在下在一高压密封之环境中以热处理该组合物体以将其至少部份转换为一种超导状态。28﹒一种制造之物件其包括大于90%理论密度之超导陶磁氧化物。29﹒根据申请专利范围第28项所制造之物件,其指出该超导陶磁氧化物为一种薄膜之形式。30.根据申请专利范围第29项所制造之物件,其指出该薄膜与该非超导陶磁氧化物之一种背衬基质相邻,其中该超导膜为一种衍生物。31.根据申请专利范围第28项所制造之物件,其中该陶磁氧化物是从包括下列之物群中选出La,_,MxCuO。其中M=Ba. Sr或LaR,Ba,Cu,P其中(R=稀土族)且上述化合物之部份氧以氟且可能为硫取代。32﹒根据申请专利范围第28顶所述制造之物件,其更指出该陶磁氧化物为Yba OOx其中x介于6.5及7.2间。33.根据申请专利范围第30项所述制造之物件,其更指出其包括一种具有所选几何形状超导陶磁氧化物之表面膜且具高密度之非超导陶磁氧化物之基质。34﹒根据申请专利范围第33项所述之物件,其更指出该超导陶磁氧化物之几何形状是由相邻表面范围所定义,该范围已被选择性破坏超导状态而变成非超导性。35.根据申请专利范围第28项所述之物件,其更指出该超导陶磁氧化物之几何形状为平面的。36.根据申请专利范围第28项所述之物件,其更指出该超导陶磁氧化物之几何形状为非平面的。37.根据申请专利范围第28项所述之物件,其更指出该超导陶磁氧化物之几何形状为柱形的。38﹒根据申请专利范围第28项所述之物件,其更指出该超导陶磁氧化物之几何形状为螺旋形的。39﹒根据申请专利范围第2项所述之方法制备一种物件。40﹒根据申请专利范围第18项所述之方法制备一种物件。 |
