| 主权项 |
1﹒一种粉状物质之供给的后混合系统,系以后混合形式于控制供给速率下供给多数相互不同之粉末状态物质者,包括:多数槽,每一槽系充满该等粉末状态物质之一者;一计量装置,其与该等槽中之一者结合,供计测粉末状态物质之量以供给一控制量之物质;一进给装置,包括多数供给线路,每一线路与该等槽之一者结合以自所结合之槽中藉由流经线路之载剂流体进给该计量之物质;一滙流装置,具与各供给线路连接以供接收由各线路进给之物质俾建立该等物质之一混合物;一出料装置,其被连接至该滙流装置供以一特定之出料压力排出于该滙流装置中建立之混合物;以及一控制装置,其与该计量装置结合,供控制该计量装置之操作以调整包含于该滙流装置所建立之该混合物中的各物质量于特定値,并根据该特定出料压力控制被导入该进给装置之载剂流体压力。2﹒如申请专利范围第1项所述之系统,其中该控制装置根据一决定操作期间物质供给速率变数之预先设定图形控制各该计量装置以改变结合之槽中的物质供给速率。3﹒如请求专利范围第2项所述之系统,其中该控制装置根据经该出料装置被排出之该混合物的一质量流动速率控制该进给装置以改变该载剂流体压力。4﹒如申请专利范围第3项所述之系统,还包括将一加压流体导入各槽以于各槽中维持一特定压力之内压,其各别与该等槽中之一者结合以侦察所结合之槽中的内压而产生一槽压指示信号,且该控制装置系与该加压流体导入制置结合以根据该槽压指示信号控制槽压。5﹒如申请专利范围第4项所述之系统,其中该控制装置依据各槽中之该物质所需要之质量流动速率获得槽压以控制加压流体导入装置将各槽中之内压向该所需要的压力调整。6﹒如申请专利范围第4项所述之系统,其中该加压流体导入装置与该进给装置系连接至一共同加压流体源。7﹒如申请专利范围第1项所述之系统,其中该计量装置包括多数旋转进给器,其各别与该等槽之一者结合以在所结合之槽中计侧控制量之物质,且该控制装置适于控制各旋转进给器以彼此独立地调整物质供给速率。8﹒如申请专利范围第1项所述之系统,其中该控制装置包括一以电脑与基础之控制器,该控制器包括一储存多数相互不同之变化图型的记忆体以及一供手控选择一物质注入图形的手控选择器装置。9﹒如申请专利范围第8项所述之系统,其中该记忆体储存各物质之结合变化图形以使得所有物质的变化图形可经由该手控选择器装置藉确认一结合图形而被选择。10﹒如申请专利范围第8项所述之系统,其中该计量装置包括多数旋转进给器,其各别与该等槽之一者结合以在所结合之槽中计测控制量之物质量,且该控制装置适于控制各旋转进给器之旋转速度以依据选择之一变化图型调整物质供给速率。11﹒如申请专利范围第1项所述之系统,其中该滙流装置包括一滙流器,其界定一混合室于其内并具有多数支管以分别连接至该等供给线路以使用该载剂流体将经由供给线路进给之物质导入至该混合室中以建立该混合物。12﹒如申请专利范围第11项所述之系统,其中该滙流管还包括以大致垂直于以该载剂流体所携运之物质的方向导入一压气体的装置。13﹒如申请专利范围第12项所述之系统,其中该滙流管还包括一设置于该混合室中之圆筒形隔板以界定一围绕该混合室,大致为环形之室,该隔板形成有多数孔口,其建立该混合室与环形室之间的气体连通,并且该加压气体经由该等形成于该隔板上之孔口排入该环形室并吹入该混合室。14﹒如申请专利范围第13项所述之系统,其中该被导入该混合室之加压气体的压力被调整成稍高于该混合室中之压力。15﹒一种粉状物质之供给的后混合系统,系以后混合形式供给多数相互不同,任一熔炼程序中利用为热金属前处理用的助熔剂者,包括:多数槽,每一槽系流满该等粉末状态助熔剂之一者;一计量装置,其与该等槽中之一者结合,供计测粉未状态助熔剂之量以供给一控制量之助熔剂;一进给装置,包括多数供给线路,每一线路与该等槽之一者结合以自所结合之槽中藉由流经线路之载剂流体进给该计量之助熔剂;一滙流装置,其与各供给线路连接以供接收由各线路进给之助溶剂俾建立该等物质之一混合物;一出料装置,其被连接至该滙流装置供以一特定之出料压力排出于该滙流装置中所造成之混合物;以及一控制装置,其与该计量装置结合,供控制该计量装置之操作以调整包含于该滙流装置所造成之该混合物中的各助熔剂量于特定値,并根据该特定出料压力控制被导入该进给装置之载剂流体压力。16﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该热金属容器系一鱼雷车。17﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该充满于该槽中之助熔剂系由脱矽混合物,脱磷混合物及脱硫混合物中至少两者所组成。18﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该出料装置包括一被插入该热金属之注入喷枪以及一连接该注入喷枪至该滙流装置之注入管线。19﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该控制装置控制依照一根据操作期间决定助熔剂供给速率变化之预先设定变化图形改变所结合之槽中的助熔剂供给速率的该计量装置。20﹒如申请专利范围第19项所述之系统,其中该控制装置依据该经由该出料装置被排出之混合物质量流动速率控制该进给装置以改变该载剂流体压力。21﹒如申请专利范围第20项所述之系统,还包括将一加压流体导入各槽以于各槽中维持一特定压力之内压,其各别与该等槽中之一者结合以侦察所结合之槽中的内压而产生一槽压指示信号,且该控制装置系与该加压流体导入装置结合以根据该槽压指示信号控制槽压。22﹒如申请专利范围第21项所述之系统,其中该控制装置依据各槽中之该物质所需要之质量流动速率获得槽压以控制加压流体导入装置各槽中之内压向该所需要的压力调整。23﹒如申请专利范围第22项所述之系统,其中该加压流体导入装置与该进给装置系连接至一共同加压流体源。24﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该计量装置包括多数旋转进给器,其各别与该等槽之一者结合以在所结合之槽中计测控制量之助熔剂,且该控制装置适于控制各旋转进给器以彼此独立地调整助熔剂供给速率。25﹒如申请专利范围第15项所述之系统,其中该控制装置包括一以电脑与基础之控制器,该控制器包括一储存多数相互不同之变化图形的记忆体以及一供手控选择一物质注入图形的手控选择器装置。26﹒如申请专利范围第25项所述之系统,其中该记忆体储存各助熔剂之结合变化图形以使得所有助熔剂的变化图形可经由该手控选择器装置藉确认一结合图形而被选择以后混合形式于控制供给速率下供给多数相互不同之粉末状态物质者,包括之步骤自多数相互不同之来源计测一相互不同之粉末状态物质之量以供给一控制量之物质;自该等来源藉由流经相互独立之供给线路的载剂流体进给该计测量之物质;形成一经由该等供给线路进给之物质的混合物;以一特定出料压力排出该混合物;以27﹒如申请专利范围第8项所述之系统,其中该计量装置包括多数旋转进给器,其各别与该等槽之一者结合以在所结合之槽中计测控制器量之助熔剂量,且该控制装置适于控制各旋转进给器之旋转速度以依据选择之一变化图形调整助熔剂供给速率。28﹒一种粉状物质之供给的后混合方法,系控制被包含在该混合物中之各物质计测量以便依据与操作周期相关之一预先设定图形调整各物质之混合物速率,并且依据该特定出料压力控制被导入该供给线路之载剂流体压力。29﹒如申请专利范围第28项所述之方法,其中该载剂流体压力系依据该混合物之一质量流动速率被调整。30﹒如申请专利范围第29项所述之方法,还包括调整该等来源中之压力以将施于该物质之压力维持于特定値。31﹒如申请专利范围第30项所述之方法,其中各来源中之压力是依据所需要之该等物质质量流动速率而决定。32﹒如申请专利范围第28项所述之方法,其中该计测量系藉与各来源共同作用之旋转进给器,以及调整该等旋转进给器之旋转速度和/或旋转周期数而被调整。33﹒如申请专利范围第28项所述之方法,还包括预先设定该混合物中之各物质之多数相互不同混合速率变化图形,以及选择该等预先设定变化图形之一的步骤。34﹒如申请专利范围第28项所述之方法,还包括提供一滙流管之步骤,该滙流管界定一混合室于其中且具有多数各别被连接至该等供给线路以将经由该等供给线路藉载剂流体进给之物质导入该混合室以建立该混合物,以及以大致垂直于由该载剂流体携进之该等物质的流动方向导入一加压气体之步骤。35﹒如申请专利范围第34项所述之方法,其中该被导入该混合室之加压气体压力系被调整成稍高于该混合室中之压力。36﹒如申请专利范围第28项所述之方法,其适于用来供给于一熔炼程序中被利用于热金属前理之相互不同助熔剂。37﹒如申请专利范围第36项所述之方法,其中该充填于该等来源中之助熔剂系由脱矽混合物,脱磷混合物以及脱硫混合物中至少二者所形成。图示简单说明第1图为绘示依据本发明之一粉化物质供给系统较佳实施例基本构造的图解图;第2图为第1图之粉化质供给系统的部份图,其中一单一粉末供给电路被绘示;第3图为一控制第1图之粉末状态物质供给系统之较佳实施例操作的控制系统图解图;第4图为一被应用在第1图之粉化物质供给系统较佳实施例中之滙流管的详细般图。第5图为一绘示第1图之供给系统较佳实施例中之粉末供给路线不同部份之压力之图;第6(A),6(B),6(C)及6(D)图为表示四供给线路被使用时载剂气体中粉化物质之供给量的各种预先设定图型的一图表:第7(A)、7(B)、7(C)、和7(D)图为绘示对应于第6(A)、6(B)、6(C)和6(D)图中之供给线路之四供线路在一贮槽气体中的压力预先设定图型之变化的图表;第8(A)、8(B)、8(C)、和8(D)图为绘示对应于第6(A)、6(B)、6(C)和6(D)中之供给线路的四供给线路中实际粉化物质流量之变化图型的图表;第9图为利用第1图之粉化物质供给的热金属前处理系统较佳实施例的图解图;第10图为绘示在第1和第3图中之控制系统中之图形的图解图;第11图为一绘示利用第10图中之表的图形II注入之助熔剂注入速率实际变化之图表。第12(A)至12(C)图为绘示在第9图中所示之热金属前处理系统的实际实施例中由控制单元所执行之一连串助熔剂注入控制的流程图:第13(A)、13(B)、13(C)和13(D)图绘示被利用于脱磷及脱硫之助熔剂注入的典型图形;第14(A)、14(B)、14(C)和14(D)图绘示利用于脱磷和脱硫之另一助熔剂注入的典型图形;第15图为一绘示脱磷和脱硫期间P和S浓度变化之图表。 |
