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<P>L'invention concerne les matrices d'éléments photosensibles.</P><P>Dans une matrice photosensible dont la structure utilise à chaque point photosensible un élément photosensible (photodiode PIN) en série avec une capacité entre un conducteur de ligne 12 et un conducteur de colonne 22, on propose ici d'utiliser un élément photosensible simplifié dont une couche semiconductrice extrême est supprimée; par exemple, on supprime la couche N d'une photodiode PIN, ou la couche N d'un phototransistor à cinq couches de type NIPIN. Le diélectrique 20 de la capacité vient alors directement en contact avec une couche semiconductrice intrinsèque 16 dans laquelle s'accumulent des électrons qui reconstituent l'équivalent d'une couche dopée de type N.</P><P>On simplifie ainsi la fabrication, et on diminue les pertes de photons dans la couche semiconductrice qui devait auparavant être traversée par le rayonnement lumineux.</P>
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