发明名称 SILICON DIOXIDE SELECTIVELY REFLECTING LAYER FOR MERCURY VAPOR DISCHARGE LAMPS.
摘要 Une lampe à décharge de vapeur de mercure améliorée est décrite. La lampe de la présente invention comprend une enveloppe (1) et une couche (3) de dioxyde de silicium de réflexion sélective, cette couche étant appliquée au moins sur une partie de la surface intérieure de l'enveloppe (1). La lampe comprend aussi un revêtement de phosphore (4) disposé sur la couche de réflexion sélective (3). La couche de bioxide de silicium (3) possède un poids de revêtement compris entre 0,1 environ et 4 mg/cm2 environ. La couche de réflexion sélective (3) comprend au moins 80 % en poids environ de silice dont la granulométrie se situe entre 5 et 100 nm environ, au moins 50 % environ en poids de la silice ayant une granulométrie principale comprise entre 17 et 80 nm environ.
申请公布号 EP0318578(A1) 申请公布日期 1989.06.07
申请号 EP19880906372 申请日期 1988.06.10
申请人 GTE PRODUCTS CORPORATION 发明人 DEBOER, BARRY, G.;RUTFIELD, SHARON, B.
分类号 H01J61/35 主分类号 H01J61/35
代理机构 代理人
主权项
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