SEMICONDUCTOR DEVICE.

摘要

Un dispositif à mémoire analogique comprend une couche de silicium amorphe dopé située entre une première couche conductrice et une couche de contact métallique de V, Co, Ni, Pd, Fe, ou Mn. Il a été observé que le choix de l'un de ces métaux comme couche de contact exerce un effet significatif sur les caractéristiques du dispositif, par exemple le choix de An, Au ou Cu ne donne aucune commutation tandis que Cr, W et Ag permettent une commutation numérique au lieu d'une commutation analogique.