| 摘要 |
Un procédé de fabrication d'un circuit intégré pour la création de régions d'oxyde de champ utilise une couche d'oxyde tampon relativement épaisse (2) sous une couche de nitrure de masquage (22), et une seconde couche relativement mince (9) de nitrure de masquage des parois latérales, cette couche mince étant formée sur les parois latérales d'un évidement qui s'étend au travers des couches (2, 22) et dans le substrat (1). La couche mince (9) de nitrure de masquage des parois latérales ne comporte pas de couche d'oxyde tampon sous-jacente. Lors de l'oxydation, la couche de nitrure mince (9) de masquage de parois latérales est simultanément soulevée et convertie en oxyde, les matières et dimensions étant séléctionnées pour s'assurer que, lorsque le niveau d'oxyde de champ se rapproche du niveau de la couche d'oxyde tampon épaisse (2), il y a relaxation des contraintes au niveau des coins de la région de silicium active par l'intermédiaire de divers chemins oxydes et des effets d'oxydation accentués. |
