SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ION IMPLANTER,申请号JP19870295895-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ION IMPLANTER
摘要
申请公布号	JPH01137546(A)	申请公布日期	1989.05.30
申请号	JP19870295895	申请日期	1987.11.24
申请人	NEC KYUSHU LTD	发明人	TASHIRO NAOTO
分类号	G05D21/02;H01J37/317;H01L21/265	主分类号	G05D21/02
代理机构		代理人
主权项
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