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发明名称
METHOD FOR IMPLEMENTING NO-DEFECT STATE IN SURFACE LAYER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号
JPH01136343(A)
申请公布日期
1989.05.29
申请号
JP19870295527
申请日期
1987.11.24
申请人
FUJITSU LTD
发明人
HARA AKITO
分类号
C30B33/02;C30B33/00;H01L21/322
主分类号
C30B33/02
代理机构
代理人
主权项
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