发明名称 METHOD FOR IMPLEMENTING NO-DEFECT STATE IN SURFACE LAYER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH01136343(A) 申请公布日期 1989.05.29
申请号 JP19870295527 申请日期 1987.11.24
申请人 FUJITSU LTD 发明人 HARA AKITO
分类号 C30B33/02;C30B33/00;H01L21/322 主分类号 C30B33/02
代理机构 代理人
主权项
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