Manufacturing method of a SiO2 layer on a topography

摘要

Als IMD-fungierende SiO2-Schichten werden bisher über CVD-Verfahren bzw. durch Sputtern aufgebracht, was mit großem Aufwand verbunden ist und darauffolgende Prozeßschritte zur Planarisierung erfordert. Alternativ wurden in jüngerer Zeit Spin-On-Gläser verwendet, die aber nur unzureichende langreichweitige Planarisierungen aufweisen. Das neue Verfahren soll SiO2-Schichten ergeben, die einen hervorragenden lokalen und globalen Planarisierungsgrad erreichen, eine gegenüber herkömmlich hergestellten SiO2-Schichten deutlich geringere Dielektrizitätskonstante aufweisen, um parasitäre Kapazitäten zu verringern und apparativ einfach herstellbar seien. Auf die Topographie wird ein in einem organischen Lösungsmittel gelöstes Organodisiloxan aufgebracht, daß Organodisiloxan wird polymerisiert und das entstandene Polymerisat wird zersetzt, wobei das Polymerisat zu einer stark SiO2-haltigen Schicht wird. <IMAGE>