ASSEMBLAGE MONOLITHIQUE DE DIODES DE PROTECTION ET SYSTEMES DE PROTECTION

摘要

La présente invention concerne un assemblage monolithique de diodes de protection formé dans un substrat semiconducteur d'un type de conductivité donné, dans lequel la première face du substrat 10 comprend des zones discrètes du type de conductivité opposé dont l'une 13 est reliée à un potentiel de référence et les autres 12-1 ...12-n sont reliées à des bornes 18-1 ...18-n destinées à être connectées à des circuits à protéger et dans lequel la deuxième face du substrat est uniformément surdopée dudit type de conductivité et revêtue d'une métallisation flottante 21.