NEW BASIC MATERIAL FOR SEMICONDUCTORS CONRTUCTION

摘要

1. Νέα βασική ύλη ημιαγωγών. 2.1. Η νέα βασική ύλη ημιαγωγών ?α δύναται να παρασκευασ?εί κατά την τεχνολογία λεπτών στοιβάδων δια χρησιμοποιήσεως με?όδων (διεργασιών) ταινίας και ?α παρουσιάζουν ευκινησίαν φορέων φορτίου τουλάχιστον I CM2 V-1 S-1. 2.2. Κατά την εφεύρεσιν η βασική ύλη ημιαγωγών συνίσταται εκ λεπτών στοιβάδων αμόρφου, υδρογονούχου άν?ρακος (α-C:H) με ειδική ηλεκτρική αντίστασιν μεταξύ 101 και 108 Ω.CM και συγκέντρωσιν φορέων φορτίων (η και ρ) μεταξύ 1010 και 1018 cm-3, εκάστοτε εις την ?ερμοκρασία δωματίου. 2.3. Στοιχεία δομήσεως. ω