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发明名称 ION IMPLANTED MEMORY CELLS FOR HIGH DENSITY RAM
摘要
申请公布号 EP0084500(B1) 申请公布日期 1989.05.24
申请号 EP19830400114 申请日期 1983.01.18
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 KO, WEN-CHUANG;BERRY, ROBERT L.
分类号 G11C11/411;H01L21/74;H01L21/8222;H01L21/8229;H01L27/082;H01L27/102 主分类号 G11C11/411
代理机构 代理人
主权项
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