Memory plane and process and prototype of definition of an electronic integrated circuit comprising such a memory plane.

摘要

Pour éviter une différenciation technologique entre des cellules mémoires vives et des cellules mémoires mortes d'un même plan mémoire on réalise toutes les cellules mémoires en une même technologie. Ces cellules mémoires sont alors composées essentiellement de transistors à grille flottante. La programmation des cellules mémoires vives se fait, classiquement, par injection ou non de charges électroniques dans les grilles flottantes des transistors. La programmation (IM, Im) ou non des cellules mémoires mortes se fait par implantation d'impuretés (^I) dans les canaux de conduction des transistors à grille flottante de ces cellules mémoires. On montre qu'on améliore la dissimulation du contenu destiné à rester cacher des cellules mémoires mortes, tout en améliorant les conditions de réalisation de prototypes à la demande.