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发明名称 EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH01128519(A) 申请公布日期 1989.05.22
申请号 JP19870287676 申请日期 1987.11.13
申请人 KYUSHU ELECTRON METAL CO LTD;OSAKA TITANIUM CO LTD 发明人 YOSHIDA MASAHIRO
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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