MEMOIRE VIVE STATIQUE COMPORTANT UNE FONCTION DE REMISE A ZERO INSTANTANEE

摘要

L'invention concerne la technologie des mémoires à semiconducteurs.

L'invention procure une mémoire vive statique qui minimise la valeur de crête du courant qui circule dans la mémoire au moment d'une opération de remise à zéro instantanée. La mémoire comprend un réseau de cellules de mémoire qui est divisé en un ensemble de groupes de cellules de mémoire M0-M15 qui sont attaqués pour la remise à zéro instantanée à des instants mutuellement différents, au moyen d'un ensemble de circuits de retard DL1-DL15 connectés en cascade, qui reçoivent le signal de remise à zéro instantanée S.

Application aux mémoires vives statiques de grande capacité.