| 发明名称 |
OMCVD OF III-V MATERIAL ON SILICON |
| 摘要 |
L'invention concerne un procédé d'hétéroépitaxy par déposition en phase gazeuse par procédé chimique organométallique de matériaux III/V (GaAs) sur un substrat de silicium avec motif, la déposition hétéroépitaxiale s'effectuant uniquement sur les surfaces de silicium exposées et nulle part ailleurs. |
| 申请公布号 |
WO8904594(A1) |
申请公布日期 |
1989.05.18 |
| 申请号 |
WO1988US04011 |
申请日期 |
1988.11.09 |
| 申请人 |
KOPIN CORPORATION |
发明人 |
SALERNO, JACK, P.;LEE, JHANG, WOO;MCCULLOUGH, RICHARD, E. |
| 分类号 |
H01L21/20;(IPC1-7):H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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