发明名称 COPLANAR DIE TO A SILICON SUBSTRATE BOND METHOD.
摘要 Dans un procédé d'amalgame coplanaire entre des dés et un substrat, plusieurs dés (14) sont alignés sur un substrat de tranche en silicium (10) selon une relation prédéterminée et une émulsion épaisse de verre (24) est appliquée pour permettre l'amalgame entre les dés et le substrat, l'amalgame s'effectuant sur une surface plane (20) ou une plaque rainurée (22). Lorsque le substrat de tranche en silicium (10) et les dés (14) sont prêts pour la cuisson, ils sont placés sur une plaque rainurée (22), les rainures (26) se trouvant sous le verre (24), faisant ainsi diminuer la force capillaire qui provoque généralement un dépassement de capacité supérieure. Grâce à la diminution du dépassement de capacité supérieure, l'amalgame peut être effectué à une température plus élevée de façon à réduire le dépassement de capacité inférieure. Grâce à l'absence de dépassement de capacité inférieure ou supérieure obtenue avec ce procédé, on obtient un niveau de coplanarité plus élevé, ce qui permet d'effectuer plus facilement les étapes de traitement ultérieures, tel que le traitement de lignes d'interconnexion.
申请公布号 EP0315655(A1) 申请公布日期 1989.05.17
申请号 EP19880903627 申请日期 1988.03.28
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 REED, DAVID, J.;FAIRBANKS, ROBERT, K.
分类号 B32B9/00;B32B17/06;B32B43/00;H01L21/52;H01L21/58 主分类号 B32B9/00
代理机构 代理人
主权项
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