| 发明名称 |
Denices fabricated using method of selective area epitaxial growth using ion beams |
| 摘要 |
A method of selective area epitaxial growth using a scanning ion beam is described.
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| 申请公布号 |
US4831628(A) |
申请公布日期 |
1989.05.16 |
| 申请号 |
US19860928957 |
申请日期 |
1986.11.10 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY, AT&T BELL LABORATORIES |
发明人 |
TSANG, WON-TIEN |
| 分类号 |
C30B23/04;C30B23/08;G02B6/12;H01L29/12;H01L29/775 |
主分类号 |
C30B23/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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