| 主权项 |
1.一种聚酸乙二酯共聚物所构成之双轴定向薄 膜,其特征为由 (1)实质上由平均全部重覆单位之90-99.9莫耳%为2,6- 酸乙二酯单位,平均全部二羧酸成分含有0.1-10莫 耳%间苯二酸成分或烷-2,6-二羧酸成分之聚酸 乙二酯共聚物所形成, (2)纵方向及横方向中之杨氏模量均为500kg/mm2以上, (3)面定向系数为0.230-0.275且 (4)密度为1,350g/cm3以上所构成。2.如申请专利范围 第1项所述之双轴定向薄膜,其实质上为由平均全 部二羧酸成分含有3莫耳%以下二甘醇之聚酸乙 二酯共聚物所形成。3.如申请专利范围第1或2项所 述之双轴定向薄膜,其再为(5)80℃中抗卷曲性为ANSI 卷曲値为50m-1。4.如申请专利范围第1或2项所述之 双轴定向薄膜,其再为(6)耐层离性折痕层离白化率 为10%以下。5.如申请专利范围第1项所述之双轴定 向薄膜,其实质上为由平均全部二羧酸成分含有0.5 -8莫耳%间苯二酸成分之聚酸乙二酯共聚物所形 成。6.如申请专利范围第1项所述之双轴定向薄膜, 其实质上为由平均全部二羧酸成分含有1-8莫耳% 烷-2,6-二羧酸成分之聚酸乙二酯共聚物所形成 。7.如申请专利范围第1项所述之双轴定向薄膜,其 中厚度为0.5-250m。8.一种作为磁性记录媒体基底 薄膜之双轴定向薄膜,其特征为 (1)实质上由平均全部重覆单位之90-99.9莫耳%为2,6- 酸乙二酯单位,平均全部二羧酸成分含有0.1-10莫 耳%间苯二酸成分或烷-2,6-二羧酸成分之聚酸 乙二酯共聚物所形成, (2)纵方向及横方向中之杨氏模量均为500kg/mm2以上 且两方向之杨氏模量之和为1,200kg/mm2以上, (3)面定向系数为0.230-0.275 (4)密度为1,350g/cm3以上且 (5)薄膜表面之头层粗度为2.0nm以下。9.如申请专利 范围第8项所述之双轴定向薄膜,其实质上为由平 均全部二羧酸成分含有3莫耳%以下二甘醇之聚 酸乙二酯共聚物所形成。10.如申请专利范围第8项 所述之双轴定向薄膜,其再为薄膜表面高度1.1m 以上之粗大突起数为5个/100cm2以下。11.如申请专 利范围第8项所述之双轴定向薄膜,其中厚度为1-25 m。12.如申请专利范围第8项所述之双轴定向薄 膜,其实质上为由平均全部二羧酸成分含有0.5-8莫 耳%间苯二酸成分之聚酸乙二酯共物所形成。13. 如申请专利范围第8项所述之双轴定向薄膜,其实 质上为由平均全部二羧酸成分含有1-8莫耳%烷-2, 6-二羧酸成分之聚酸乙二酯共聚物所形成。14. 如申请专利范围第8项所述之双轴定向薄膜,其中 纵方向及横方向之杨氏模量合计为1200kg/mm2。15.一 种作为照相软片基底薄膜之双轴定向薄膜,其特征 为 (1)实质上由平均全部重覆单位之90-99.9莫耳%为2,6- 酸乙二酯单位,平均全部二羧酸成分含有0.1-10莫 耳%间苯二酸成分或烷-2,6-二羧酸成分之聚酸 乙二酯共聚物所形成, (2)纵方向及横方向中之杨氏模量均为500kg/mm2以上, (3)面定向系数为0.230-0.275, (4)密度为1,350g/cm3以上, (5)80℃中之抗卷曲性为以ANSI卷曲値为50m-1以下,且 (6)耐层离性折痕层离白化率为10%以下。16.如申请 专利范围第15项所述之双轴定向薄膜,其实质上为 由平均全部二羧酸成分含有3莫耳%以下二甘醇成 分之聚酸乙二酯共聚物所形成。17.如申请专利 范围第15项所述之双轴定向薄膜,其中厚度为25-250 m。18.如申请专利范围第15项所述之双轴定向薄 膜,其中80℃中之抗卷曲性为ANSI卷曲値为45m-1以下 。19.如申请专利范围第15项所述之双轴定向薄膜, 其中耐层离性折痕层离白化率为8%以下。20.如申 请专利范围第15项所述之双轴定向薄膜,其实质上 为由玻璃态化温度(Tg)为115℃-125℃之聚酸乙二 酯共聚物所形成。21.如申请专利范围第15项所述 之双轴定向薄膜,其实质上为由平均全部二羧酸成 分含有0.5-8莫耳%间苯二酸之聚酸乙二酯共聚物 所形成。22.如申请专利范围第15项所述之双轴定 向薄膜,其实质上为由平均全部二羧酸成分含有1-8 莫耳%烷-2,6-二羧酸成分之聚酸乙二酯共聚物 所形成。23.如申请专利范围第8项所述之双轴定向 薄膜,其中在单面上设置磁性记录层形成磁性记录 媒体。24.如申请专利范围第15项所述之双轴定向 薄膜,其系至少单面上设置底漆层形成复合薄膜。 25.如申请专利范围第15项或第24项之薄膜,其系在 单面上设置感光层形成照相软片。 |
