| 主权项 |
1.一种表面声波装置,其包含: 一组压电基片; 被提供在该压电基片主要表面上面之一组电极图 型,该电极图型形成一组梯形表面声波滤波器;以 及 一组容纳该压电基片之封装个体, 该封装个体包含:以朝下状态携带该压电基片之一 组底部部份;以及在该底部部分上面侧向地围绕该 压电基片之一组侧壁部份,该底部部份和该侧壁部 份一起形成容纳该压电基片之一个凹处, 该底部部份携带用以电气地连接该电极图型之一 组接线图型, 该接线图型包含在该底部部份具有互相分离关系 的一组第一接地图型以及一组第二接地图型,该第 一接地图型以及该第二接地图型电气地彼此被连 接。2.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中 该压电基片装载有,在该主要表面上面,一组输入 电极、一组输出电极、至少一对被串列地连接放 在该输入和该输出电极之间被串接之共振器、一 组串接该输入电极至接地的输入侧并接共振器、 一组串接该输出电极至接地的输出侧并接共振器 、以及一组串接被串列连接之该组对共振器至接 地的中间并接共振器,将该输入侧并接共振器接地 的一组输入侧接地电极,将该输出侧并接电极接地 的一组输出侧接地电极,以及包含用以将该中间并 接电极接地之一组中间接地电极的多数个电极,该 压电基片被倒装晶片安装在该底部部份上面而使 得该输入侧接地电极以及该输出侧接地电极与该 第一接地图型衔接并且使得该中间接地电极与该 第二接地图型衔接。3.如申请专利范围第1项之表 面声波装置,其中该侧壁部份具有适用于衔接覆盖 该凹处之传导顶盖组件的一组衔接表面,当该传导 顶盖组件被安装在该衔接表面上面以便覆盖该凹 处时,该衔接表面在其上携带衔接该传导顶盖组件 之一组传导封环,该传导封环电气地被连接到该第 一和第二接地图型。4.如申请专利范围第1项之表 面声波装置,其中该第一接地图型以及该第二接地 图型经由一组电感彼此电气地被连接。5.如申请 专利范围第4项之表面声波装置,其中该电感被最 佳化以使得截止带假象峰値抑制为最大。6.如申 请专利范围第4项之表面声波装置,其中该侧壁部 份具有适用于衔接覆盖该凹处之传导顶盖组件的 一组衔接表面,当该传导顶盖组件被安装在该衔接 表面上面以便覆盖该凹处时,该衔接表面在其上携 带衔接该传导顶盖组件之一组传导封环,该传导封 环电气地被连接到该第一和第二接地图型之一。7 .如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中该接 线图型包含多数个传导层之一堆叠。8.如申请专 利范围第1项之表面声波装置,其中各该等多数个 电极包含多数个隆起部份电极之堆叠。9.如申请 专利范围第1项之表面声波装置,其中构成该接线 图型之输入电极图型以及输出电极图型之至少一 组被形成于该第一接地图型和该第二接地图型之 间该底部部份之一部份上面。10.一种表面声波装 置,其包含: 具有一组安装表面之一组封装个体; 以朝下状态被安装在该安装表面的一组压电基片; 以及 多数个电极图型,其各在该压电基片被安装在该安 装表面上面之状态是面向该安装表面之该压电基 片主要表面上面形成一组梯形表面声波滤波器; 各该等多数个电极图型包含多数个在该主要表面 上面之接地电极; 该安装表面在其上装载一组各该等多数个电极图 型之接地图型,以至于该接地图型,在各该等多数 个电极图型中,共同地与该等多数个接地电极形成 接触。11.如申请专利范围第10项之表面声波装置, 其中对应至该电极图型之该接地图型在该安装表 面上面被电气地隔离。12.一种表面声波装置,其包 含: 具有一组安装表面之一组封装个体; 以朝下状态被安装在该安装表面上面之一组压电 基片; 被提供于该压电基片之朝下状态中面向该安装表 面之该压电基片的主要表面上面之一组第一电极 图型,该第一电极图型形成一组梯形滤波器;以及 被提供于该压电基片之该主要表面上面之一组第 二电极图型,该第二电极图型形成一组双模型式滤 波器; 该第一和第二电极图型各包含在该主要表面上面 形成之多数个接地电极, 该安装表面携带共同地与该第一电极图型之该等 多数个接地电极形成接触之一组第一接地图型,该 安装表面进一步地携带各与该第二电极图型之该 等多数个接地电极之对应的一组形成电气接触之 多数个互相分离的该等第二接地图型。图式简单 说明: 第一图是一般的梯形SAW装置之一组等效电路图; 第二图是展示第一图梯形SAW装置构造之一组截面 图形; 第三图是展示依据本发明第一实施例之SAW装置构 造的一组截面图形; 第四图是展示在第三图SAW装置中压电基片上面被 形成的梯形SAW滤波器电极图型之一组平面图: 第五图是展示在第三图SAW装置之封装个体上面被 形成的接线图型之一种平面图; 第六图是展示与第二图SAW装置比较之第三图SAW装 置的频率特性图形; 第七图是展示与另一组SAW装置比较之第三图SAW装 置的频率特性图形; 第八图是展示依据本发明第二实施例SAW装置构造 之一种截面图形; 第九图是展示在第八图SAW装置封装个体上面形成 的接线图型之一种平面图; 第十图是展示第八图SAW滤波器之频率特性图形; 第十一图是展示依据本发明第三实施例SAW装置构 造之一种截面图形; 第十二图是展示依据本发明第四实施例SAW装置构 造之一种截面图形; 第十三图是展示依据本发明第五实施例SAW装置构 造之一种截面图形; 第十四图是展示在第十三图SAW装置中压电基片上 面所形成之双模型式SAW滤波器的电极图型之一种 平面图;以及 第十五图是展示在第十三图SAW装置中对应至第十 四图电极图型之封装个体上面所形成的接线图型 之一种平面图。 |
