| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,其中该膜系氧氮化 矽且该气体混合物系SiH4/O2/N2。3.如申请专利范围 第1项之方法,其中该膜系氧氮化矽且该气体混合 物系SiH2/O2/N2/Ar。4.一种使用高密度电浆CVD系统来 制备二氧化矽罩膜之改良方法,其特征在于防止当 用为介电抗反射涂层时的光阻污染,该方法包括: 提供一容纳晶圆的处理室,其真空度系足以使得在 该处理室的电浆发生区域中能用O2当作氧源而没 有爆炸的危险; 产生一种选自于SiH4/O2或SiH4/O2/Ar的气体混合物; 使处理室接受足够频率的RF电讯号而在该处理室 的电浆发生区域中产生高密度电浆,因此由该RF电 讯号所产生的高密度电浆来处理该晶圆。5.如申 请专利范围第4项之方法,其中该膜系二氧化矽罩 膜且该气体混合物系SiH4/O2。6.如申请专利范围第4 项之方法,其中该膜系二氧化矽罩膜且该气体混合 物系SiH4/O2/Ar。7.如申请专利范围第1项之方法,其 中该足以能使用O2而不会有爆炸危险的真空度系0. 1毫托至20毫托。8.如申请专利范围第4项之方法,其 中该足以能使用O2当作氧源而不会有爆炸危险的 真空度系0.1毫托至20毫托。9.如申请专利范围第2 项之方法,其中以1sccm至500sccm的流速导入气体混合 物的SiH4成分。10.如申请专利范围第3项之方法,其 中以1sccm至500sccm的流速导入气体混合物的SiH4成分 。11.如申请专利范围第10项之方法,其中以0sccm至 500sccm的流速导入Ar溅射成分。12.如申请专利范围 第5项之方法,其中以1sccm至500sccm的流速导入气体 混合物的SiH4成分。13.如申请专利范围第6项之方 法,其中以0sccm至500sccm的流速导入Ar溅射成分。图 式简单说明: 第1图大体上系一种光阻轮廓的照片,显示氧氮化 矽DARC层上的"足部"或污染,其中具体言之,1a表示没 有罩和电浆;1b示氧氮化矽加上罩氧化物在100A;1c表 示氧氮化矽加上罩氧化物在200A;1d表示氧氮化矽加 上罩氧化物在320A;第1e图示氧氮化矽加上罩氧氮化 物在320A,于120瓦的电浆处理后;而第1f图表示氧氮 化矽加上氧氮化物在320A,于一仟瓦的电浆处理后 。 第2图系依本发明刀法所制备的化学增强之光阻的 照片,其中在800A没有HDP氧化物的污染,如没有"足部 "所显示者。 |
