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<P>L'invention concerne la protection des circuits intégrés contre les décharges électrostatiques.</P><P>Pour assurer une protection aussi efficace que possible contre les décharges électrostatiques par mise en avalanche d'une diode D sans que des surtensions d'origine non électrostatique ne déclenche intempestivement cette mise en avalanche, l'invention propose la solution suivante : par une grille isolée G entourant la cathode de la diode D, on modifie le seuil de passage en avalanche de la diode en fonction de la pente des surtensions qui se présentent sur la borne B à protéger. La grille G est reliée à la borne B par un circuit intégrateur R, C de telle sorte que les surtensions sont appliquées à la grille avec un certain retard, induisant entre cathode et grille une différence de potentiel d'autant plus importante que le front de la surtension est plus raide. Le seuil de déclenchement d'avalanche est plus élevé dans le deuxième cas que dans le premier et on peut ainsi faire une discrimination entre surtensions d'origines diverses.</P>
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