| 主权项 |
1.一种配线基板,系具有:第1基板之一主面上所形 成的1以上之第1信号配线;第2基板之一主面上所形 成的1以上之第2信号配线;以及介在前述第1基板之 一主面与前述第2基板之一主面之间的绝缘物,而 藉由将前述第1及第2信号配线互相对向且平行配 置,以形成信号配线配对。2.如申请专利范围第1项 之配线基板,其中,前述第1及第2信号配线之相对向 面的表面凹凸,系较前述信号配线配对上供给高频 信号之状态下所产生因趋表效应所引起的表皮厚 度为小。3.如申请专利范围第1或2项之配线基 板,其中,前述2对以上之信号配线配对为互相邻接 而形成之情形,其中,设前述第1及第2信号配线之间 隔为t、前述第1及第2之配线之宽度为a、相邻接的 信号配线配对间之间隔为b,以成立b/(a+t)>2的关系 之方式而配置。4.如申请专利范围第3项之配线基 板,其中,前述信号配线配对系具有20以下之特性 阻抗。5.如申请专利范围第1项之配线基板,其中, 前述绝缘物系填充于前述第1及第2基板间之全体 。6.如申请专利范围第1项之配线基板,其中,前述 绝缘物系在填充于相邻接的信号配线配对间之同 时,于前述第1及第2信号配线与前述绝缘物所包围 的区域中封入气体。7.如申请专利范围第1项之配 线基板,其中,前述绝缘物,系部分配置于相邻接的 信号配线配对间而从前述信号配线配对之边缘离 开的位置上,并且于前述第1及第2信号配线与前述 绝缘物所包围的区域封入气体。8.如申请专利范 围第1项之配线基板,其中,前述绝缘物,系作为涂布 层而形成于包含前述第1及第2信号配线的第1及第2 基板上,而该涂布层在第1及第2信号配线上所接合, 且相邻接的信号配线配对间封入有气体。9.如申 请专利范围第6.7项或第8项之配线基板,其中,前述 气体系非极化性之气体。10.一种配线基板,系形成 有介由绝缘层而积层的复数个基板、及前述各基 板上所形成的第1信号配线与第2信号配线经互相 对向并平行配置,以形成多层之信号配线配对, 而各层之信号配线配对间之连接,系介由贯通前述 各基板所形成的嵌头介层、或介由贯通前述各基 板及前述各层之基板支持体所形成的嵌头介层以 进行者。11.如申请专利范围第10项之配线基板,其 中,前述经积层的复数个基板中,于最上层之基板 上形成有连接衬垫层,而该连接衬垫层,系介由贯 通前述各基板所形成的嵌头介层,或介由贯通前述 各基板及前述各层之绝缘层所形成的嵌头介层,而 经与前述各层之任何信号配线配对进行连接,并介 由前述连接衬垫而于前述最上层之基板上装载有 电子构件。12.如申请专利范围第10或11项之配线基 板,其中前述嵌头介层系形成于从第1信号配线、 第2信号配线所导出的介层面上。13.如申请专利范 围第1或10项之配线基板,其中,装载有:具有对第1及 第2信号配件供给互补信号的驱动电路的第1积体 电路晶片、及具有接收在前述第1及第2信号配线 上所传送的互补信号的接收电路的第2积体电路晶 片。14.如申请专利范围第1或10项之配线基板,其中 ,前述绝缘物系由:环氧树脂、双马来酸三酯树 脂、聚醯亚胺树脂、苯并环丁烯(BCB)树脂、或氟 系树脂构成。15.一种配线基板之制造方法,系具有 : 于第1基板上之一主面上形成1以上之第1信号配线 的步骤; 于第2基板上之一主面上形成1以上之第2信号配线 的步骤; 去除前述第1及第2信号配线之表面,以使前述第1及 第2基板之表面粗面化的步骤; 于前述第1及第2基板上之全面形成绝缘物的步骤; 以及 介由前述绝缘物而接合前述第1及第2基板的步骤, 而作成前述第1及第2信号配线互相对向,且形成平 行的信号配线配对。16.如申请专利范围第15项之 配线基板之制造方法,其中,各步骤中,介由前述绝 缘物而至少接合前述第1及第2基板的步骤,系于非 极化性之气体中所进行者。17.如申请专利范围第 15或16项之配线基板之制造方法,其中,前述绝缘物 系由:环氧树脂、双马来酸三酯树脂、聚醯亚胺 树脂、苯并环丁烯(BCB)树脂、或氟系树脂构成。18 .如申请专利范围第15或16项之配线基板之制造方 法,其中,前述绝缘物系由:热固性树脂或热塑性树 脂构成。19.一种配线基板之制造方法,系具有: 于第1及第2基板之一主面上接合感光性乾薄膜的 步骤; 将该感光性乾薄膜予以图案化,并于前述第1及第2 基板上而将形成第1及第2信号配线的预定区域中 形成第1及第2开口部的步骤; 依非电解电镀于前述第1及第2开口部形成第1及第2 信号配线的步骤;以及 介由填充于前述第1及第2信号配线之间的感光性 乾薄膜而接合前述第1及第2基板的步骤, 而作成前述第1及第2信号配线互相对向,且形成平 行的信号配线配对。20.如申请专利范围第19项之 配线基板之制造方法,其中,各步骤中,介由填充于 前述第1及第2信号配线之间的咸光性乾薄膜而至 少接合前述第1及第2基板的步骤,系于非极化性之 气体中进行。21.一种配线基板之制造方法,系具有 : 于第1基板上之一主面上形成1以上之第1信号配线 的步骤; 于第2基板上之一主面上形成1以上之第2信号配线 的步骤; 去除前述第1及第2信号配线之表面,以使前述第1及 第2基板之表面粗面化的步骤; 于前述第1及第2基板上而前述第1及第2信号配线之 间部分形成由绝缘物构成的柱体的步骤;以及 介由前述直行而接合前述第1及第2基板的步骤, 而作成前述第1及第2信号配线互相对向,且形成平 行的信号配线配对。22.如申请专利范围第21项之 配线基板之制造方法,其中,介由前述柱体而至少 接合前述第1及第2基板的步骤,系于非极化性之气 体中进行者。23.一种配线基板之制造方法,系具有 : 于第1基板上之一主面上形成1以上之第1信号配线 的步骤; 于第2基板上之一主面上形成1以上之第2信号配线 的步骤; 去除前述第1及第2信号配线之表面,以使前述第1及 第2基板之表面粗面化的步骤; 于包含前述第1及第2信号配线的前述第1及第2基板 上形成蒸镀有机物而构成的涂布层之步骤;及 介由前述涂覆层而接合前述第1及第2基板的步骤, 而作成前述第1及第2信号配线互相对向,且形成平 行的信号配线配对。24.如申请专利范围第23项之 配线基板之制造方法,其中,各步骤中之介由前述 涂布层而至少接合前述第1及第2基板的步骤,系于 非极化性之气体中进行者。25.如申请专利范围第 16.20.22项或第24项之配线基板之制造方法,其中,前 述非极化性之气体,系氦、氩、甲烷、乙烷、或至 少为已去除水分的空气。图式简单说明: 第1图为本发明第1实施形态的配线基板之概略剖 面图。 第2图(a)及(b)为用以说明信号配线之相对向面之表 面凹凸与表面厚度间的关系之概略剖面图。 第3图为表示2对信号配线配对25.26之构成的概略剖 面图。 第4图(a)及(d)为表示第1实施形态的配线基板之制 造方法的概略剖面图。 第5图为本发明第2实施形态的配线基板之概略剖 面图。 第6图为本发明第3实施形态的配线基板之概略剖 面图。 第7图为本发明第4实施形态的配线基板之概略剖 面图。 第8图为本发明之第5实施形态的配线基板之概略 剖面图。 第9图为表示介由嵌头介层而连接各层信号配线之 间的构造之概略斜视图。 第10图为表示装载有堆叠.配对线路与积体电路晶 片(IC晶片)的配线基板之第1例的概略图。 第11图为表示装载有堆叠.配对线路与积体电路晶 片(IC晶片)的配线基板之第2例的概略图。 第12图为装载有习知例的积体电路晶片的配线基 板之概略图。 第13图(a)及(b)为用以说明信号配线中所产生的趋 表效应的概略图。 第14图(a)及(b)为用以说明信号配线配对中所产生 的趋表效应的概略图。 第15图为说明微带线路中所产生的趋表效应之用 的概略图。 |
