| 主权项 |
1.一种用在铁电随机存取记忆体(FeRAM)装置之铁电 记忆体单胞,该铁电记忆体单胞包含: 在其中结合空乏型电晶体闸极之第一活性区; 在其中结合增强型电晶体闸极,且毗邻第一活性区 之第二活性区; 耦合到空乏型电晶体闸极和增强型电晶体闸极之 字元线;及 耦合到增强型电晶体汲极,用以储存资料之铁电电 容器。2.如申请专利范围第1项之铁电记忆体单胞, 其中记忆体单胞之第一活性区耦合到相邻记忆体 单胞的那些第一活性区,因此形成位元线。3.如申 请专利范围第2项之铁电记忆体单胞,其中位元线 平行铁电电容器之单胞电极板线。4.如申请专利 范围第1项之铁电记忆体单胞,其中第一和第二活 性区为n型。5.一种含有复数个铁电记忆体单胞之 铁电随机存取记忆体(FeRAM)装置,包含: 在其中结合空乏型电晶体闸极之第一活性区; 在其中结合增强型电晶体闸极,且毗邻第一活性区 之第二活性区; 耦合到空乏型电晶体闸极和增强型电晶体闸极之 字元线;及 耦合到增强型电晶体汲极,用以储存资料之铁电电 容器。6.如申请专利范围第5项之铁电记忆体装置, 其中各记忆体单胞之各第一活性区彼此相互耦合 因此形成位元线。7.如申请专利范围第6项之铁电 记忆体装置,其中位元线平行铁电电容器之单胞电 极板线。8.如申请专利范围第5项之铁电记忆体装 置,其中第一和第二活性区为n型。9.如申请专利范 围第5项之铁电记忆体装置,尚包含用以感测和放 大应用到位元线之资料,以产生放大讯号之感测放 大器。图式简单说明: 第1图为根据本发明较佳实施例之铁电随机存取记 忆体(FeRAM)的布局图;及 第2图为根据本发明之FeRAM装置的电路图。 |
