Silicon wafers for providing oxide layers having high breakdown resistance and process for their manufacture.
摘要
Es werden Siliciumscheiben und Verfahren zu ihrer Herstellung angegeben, die intrinsische Getterwirkung besitzen und auf denen sich dünne Oxidschichten mit hoher Durchschlagsfestigkeit erzeugen lassen. Erfindungsgemäß werden die Scheiben bei der Herstellung nach der Erzeugung der intrinsischen Getter im Scheibeninneren einer die Scheibenoberfläche glättenden Behandlung unterzogen, beispielsweise erneut poliert. Anschließend aufgebrachte Oxidschichten zeichnen sich durch eine gegenüber unbehandelten Scheiben erhöhte Durchschlagsfestigkeit aus.
申请公布号
EP0315170(A1)
申请公布日期
1989.05.10
申请号
EP19880118323
申请日期
1988.11.03
申请人
WACKER-CHEMITRONIC GESELLSCHAFT FUR ELEKTRONIK-GRUNDSTOFFE MBH
发明人
HAHN, PETER, DR. DIPL.-PHYS.;PIONTEK, HUBERT;SCHNEGG, ANTON, DR. DIPL.-CHEM.;ZULEHNER, WERNER, DR. DIPL.-PHYS.